BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC für Smartphones
fabricant:
Zweifache
Beschreibung:
LPDDR (steht für Low Power Double Data Rate) SDRAM ist eine Art DDR, die sich hauptsächlich durch ih
Kategorie:
Drehpositionssensor-IC
In-Vorrat:
auf Lager
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Versandmethode:
Äußern
Spezifikationen
Kategorie:
Elektronische Komponenten-Speicher
Familie:
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC
Anwendung:
Im Fahrzeug / Smartphone / Gaming
Betriebstemperatur:
-20℃ -85℃
Auswahl Teilenummern:
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC
Produktspezifikationen Schnittstelle:
LPDDR (steht für Low Power Double Data Rate) SDRAM ist eine Art DDR, die sich hauptsächlich durch ih
Abmessungen:
PDDR 2: 12,00 × 12,00 mm LPDDR 3: 11,50 × 11,00 mm LPDDR 4: 11,00 × 14,50 mm LPDDR 4x: 11,50 × 13,00
Arbeitsspannung:
LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1=1,8 V, VDD2=1,2 V, VDDCA=1,2 V, VDDQ=1,2 V LPDDR 4: VDD1=1,8 V, VDD2=1,1 V,
Kapazität:
LPDDR 2: 2 GB – 8 GB LPDDR 3: 4 GB – 16 GB LPDDR 4 / LPDDR 4x: 4 GB – 48 GB LPDDR 5 / LPDDR 5x: 16 G
Einleitung
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC für Smartphone
LPDDR (Low Power Double Data Rate) SDRAM ist eine Art DDR, die hauptsächlich durch ihren geringen Stromverbrauch gekennzeichnet ist.
BIWIN Low Power DDR bietet eine leistungsstarke und kostengünstige RAM-Lösung.Der effiziente Stromverbrauch und die höhere Frequenz des LPDDR4 machen es zu einer bevorzugten Wahl für moderne elektronische Geräte.
Spezifikation:
| Schnittstelle | LPDDR 2 |
| LPDDR 3 | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x | |
| Kapazität | LPDDR 2: 2 Gb - 8 Gb |
| LPDDR 3: 4 Gb - 16 Gb | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 4 Gb - 48 Gb | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 16 Gb - 64 Gb | |
| Häufigkeit | LPDDR 2: 533 MHz |
| LPDDR 3: 933 MHz | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 1866 MHz | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 3200 MHz | |
| Betriebsspannung | LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1=1,8 V, VDD2=1,2 V, VDDCA=1,2 V, VDDQ=1,2 V |
| LPDDR 4: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = 1,1 V, VDDQ = 1,1 V, LPDDR 4x: VDDQ = 0,6 V | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: VDD1=1.70-1.95 V, 1.8 V NOM, VDD2H=1.01-1.12 V, 1.05 V NOM, VDD2L=VDD2H oder 0.87-0.97 V | |
| Genehmigte Verifizierungsplattformen | Spreadtrum: 7731E, 9832E, 9820E, SC9850K... |
| Qualcomm: 8909... | |
| Wir haben eine Reihe von Informationen, die wir Ihnen geben können. | |
| Hi3798MV310... | |
| Sieger: B288, A50, B300... | |
| Rockchip: RK3128, RK3228, RK3229... | |
| Amlogic: S905X, S905Y2... | |
| MSO9385... | |
| Betriebstemperatur | -20°C bis 85°C |
| Abmessungen | LPDDR 2: 12,00 × 12,00 mm |
| LPDDR 3: 11,50 × 11,00 mm | |
| LPDDR 4: 11,00 × 14,50 mm | |
| LPDDR 4x: 11,50 × 13,00 mm | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 12,40 × 15,00 mm | |
| Verpackung | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 575/2013 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 575/2013 übermittelt. |
| Anwendung | Smartphone |
VERWANDTE PRODUKTE
BWET08U -XXG SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash IC für Smart Wear Netzwerke
The industrial-grade SLC NAND Flash storage, makes up for the low capacity, high price and low speed of SPI NOR Flash
DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC für Fahrzeuge / Smartphones / Spiele
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC für In-Vehicle / Notebook
eSSD is an embedded solid state driver solution designed in the form of TFBGA packaging
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G
BIWIN UFS Chips is a next-generation embedded memory chip
BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G EPOP LPDDR4X IC-Chips für Smart Wear AR/VR
BIWIN ePOP Chips combines MMC and Mobile LPDDR in a single package with different capacities
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
BWET08U -XXG SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash IC für Smart Wear Netzwerke |
The industrial-grade SLC NAND Flash storage, makes up for the low capacity, high price and low speed of SPI NOR Flash
|
|
|
|
DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC für Fahrzeuge / Smartphones / Spiele |
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
|
|
|
|
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC für In-Vehicle / Notebook |
eSSD is an embedded solid state driver solution designed in the form of TFBGA packaging
|
|
|
|
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G |
BIWIN UFS Chips is a next-generation embedded memory chip
|
|
|
|
BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G EPOP LPDDR4X IC-Chips für Smart Wear AR/VR |
BIWIN ePOP Chips combines MMC and Mobile LPDDR in a single package with different capacities
|
|
|
|
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC |
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
In Stock
MOQ:
100pieces