BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G EPOP LPDDR4X IC-Chips für Smart Wear AR/VR
BWCD24L-04G BWCD24M-08 EPOP LPDDR4X IC-Chips für Smart Wear AR/VR
BWCD24L-04G
Die Bezeichnung "BWCD24M-08G" ist:
BWCK1EZH-32G-X
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht.
Die Bezeichnung "BWCK1EZC05-64G"
Bei der Beurteilung der Schadensersatzwerte
ePOP kombiniert MMC und Mobile LPDDR in einem einzigen Paket mit unterschiedlichen Kapazitäten.einschließlich fortgeschrittener Wafermahlung, Laminations- und Wirebindungstechniken, BIWIN integriert RAM und ROM in ein einziges Gerät, was nicht nur die Leistung und Energieeffizienz verbessert,aber spart auch Platz auf Leiterplatten (PCB), wodurch die Entwicklungszeit für die Kunden verkürzt wird.
ePOP ist eine ideale Lösung für tragbare und tragbare Geräte wie Smartphones, Tablets, PMP, PDA und andere Mediengeräte.
Anwendung:
Intelligentes Tragen
AR/VR
Beschreibung:
ePoP LPDDR4X integriert LPDDR4X DRAM und eMMC 5.1 Speicher in eine Package-on-Package (PoP) -Lösung mit einem 144-Ball-FBGA-Paket. Mit einer kompakten Größe von nur 8,00 x 9,50 mm erreicht er eine sequentielle Lese- und Schreibgeschwindigkeit von bis zu 290 MB/s und 140 MB/s, mit einer Frequenz von bis zu 4266 Mbps. BIWIN ePoP LPDDR4X bietet eine Kapazität von bis zu 64 GB + 32 Gb. Es handelt sich um eine Speicherlösung der nächsten Generation, die für High-End-Smartwatches entwickelt wurde. Im Vergleich zu früheren Generationen weist diese Lösung eine 128,6%ige Frequenzsteigerung, eine 32%ige Größenreduzierung auf und ist von der Qualcomm 5100-Plattform zertifiziert.
Spezifikation:
| Schnittstelle | eMMC: eMMC 5.0 / eMMC 5.1 |
| LPDDR 2 / LPDDR 3: 32 Bit | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 16 Bit | |
| Abmessungen | 10.0 × 10,00 mm (136b) |
| 8.00 × 9,50 mm (144b) | |
| 8.60 × 10,40 mm (144b) | |
| 12.00 × 13,00 mm (320b) | |
| Max. Sequentielles Lesen | eMMC: 320 MB/s |
| Max. Sequenzielles Schreiben | eMMC: 260 MB/s |
| Häufigkeit | LPDDR 2 / LPDDR 3: 1200 MHz |
| LPDDR 4x: 1200 MHz - 1866 MHz | |
| Kapazität | 4 GB + 4 GB |
| 8 GB + 4 GB / 8 GB + 8 GB | |
| 16 GB + 8 GB | |
| 32 GB + 16 GB | |
| 64 GB + 16 GB | |
| Betriebsspannung | eMMC: VCC=3,3 V, VCCQ=1,8 V |
| LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = VDDCA = VDDQ = 1,2 V | |
| LPDDR 4: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = VDDQ = 1,1 V | |
| LPDDR 4x: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = 1,1 V, VDDQ = 0,6 V | |
| Betriebstemperatur | -20°C bis 85°C |
| Genehmigte Verifizierungsplattformen | SnapDragon Wear 3100 / 5100 |
| MSM8909W... | |
| Verpackung | Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu berücksichtigen, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt sind. |
| Anwendung | Smart Wear AR/VR |
Am häufigsten verwandte Flash-Speicher-IC:
| Die Bezeichnung "BWCMAQB11T08GI" |
| BWCMAQB11T16GI |
| Bei der Beurteilung der Einhaltung der Vorschriften für die Berechnung der Zulassungsdauer |
| Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
| Die Anforderungen an die Beurteilung der Qualität sind in Anhang I zu beachten. |
| Die Anforderungen an die Luftfahrtsicherheit sind in Anhang I zu beachten. |
| Die Anforderungen an die Luftfahrtindustrie |
| BWMZAX32H2A-16GI-X |
| BWMZCX32H2A-32GI-X |
| BWMEIX32H2A-48GI-X |
| Bei der Verwendung von Zylindersäuren ist die Zylindersäure zu verwenden. |
| Wir haben eine Reihe von Problemen. |
| BWLGYA004GN6ZC |
| BWLGYA006GN6EI |
| Die Bezeichnung "BWLGYA008GN6ZC" |
BWET08U -XXG SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash IC für Smart Wear Netzwerke
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC für Smartphones
DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC für Fahrzeuge / Smartphones / Spiele
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC für In-Vehicle / Notebook
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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BWET08U -XXG SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash IC für Smart Wear Netzwerke |
The industrial-grade SLC NAND Flash storage, makes up for the low capacity, high price and low speed of SPI NOR Flash
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BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC für Smartphones |
LPDDR (stands for Low Power Double Data Rate) SDRAM is a kind of DDR, being mainly characterized by its Low Power consum
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DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC für Fahrzeuge / Smartphones / Spiele |
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
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BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC für In-Vehicle / Notebook |
eSSD is an embedded solid state driver solution designed in the form of TFBGA packaging
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UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G |
BIWIN UFS Chips is a next-generation embedded memory chip
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BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC |
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
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