BGA824N6E6329 RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ IC BGA824N6E6329XTSA1
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
BGA824N6E6329 HF-Verstärker RF MMIC SUB 3 GHz IC BGA824N6E6329XTSA1
Kategorie:
Integrierte Schaltungen IC
In-Vorrat:
auf Lager
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Versandmethode:
Äußern
Spezifikationen
Kategorie:
Elektronische Komponenten integrierte Schaltkreise
Serie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Montageart:
Oberflächenmontage/QFN
Paket:
QFN
Beschreibung:
BGA824N6E6329 HF-Verstärker RF MMIC SUB 3 GHz IC BGA824N6E6329XTSA1
Betriebstemperatur:
-40 ° C ~ 125 ° C.
Hscode:
8542.39.0001
Modellname:
BGA824N6E6329
Einleitung
Electronic components Integrated Circuits (ICs)
BGA824N6E6329 RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ IC BGA824N6E6329XTSA1
Specification :
| Category | Integrated Circuits (ICs) |
| Product Name | Electronic components |
| Model number | BGA824N6E6329 RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ IC BGA824N6E6329XTSA1 |
| Mfr | INFENION |
| Series | BGA824N6E6329 RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ IC BGA824N6E6329XTSA1 |
| Package | Standard package |
| Condition | New and original Package |
| Lead time | In stock can be shipped ASAP |
| Features | BGA824N6E6329 RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ IC BGA824N6E6329XTSA1 |
| Package / Case | QFN |
| Mounting Type | Surface mounting |
| Base Product Number | BGA824N6E6329 |
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.
IKCM30F60GD IPM MODULE IGBT 600V 30A 24-Pin MDIP Tube IKCM30F60GDXKMA1
R6020KNX MOSFET R6020KNXC7
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
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