IRG4PC50WPbF IGBT G4PC50W
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
G4PC50W IRG4PC50WPbF IGBT mit isoliertem Gate-Bipolartransistor
Kategorie:
Integrierte Schaltungen IC
In-Vorrat:
Auf Lager
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Versandmethode:
Äußern
Spezifikationen
Kategorie:
Elektronische Komponenten integrierte Schaltkreise
Serie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Montagetyp:
Durch Loch
Paket:
DIP3
Beschreibung:
VISHAY-Empfängermodul-IC
Betriebstemperatur:
-40 ° C ~ 125 ° C.
HSCODE:
8542.39.0001
Modellname:
HS0038BD
Einleitung
Electronic components Integrated Circuits (ICs) -IRG4PC50WPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT G4PC50W
Specification :IRG4PC50WPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT G4PC50W
| Category | Integrated Circuits (ICs) |
| Product Name | Electronic components |
| Model number | IRG4PC50WPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT G4PC50W |
| Series | IC Components |
| Package | TO-247 |
| Condition | New and original Package |
| Lead time | In stock can be shipped ASAP |
| Features | IRG4PC50WPbF |
| Package / Case | TO247-3 |
| Mounting Type | THT |
| Base Product Number | G4PC50W |
IRG4PC50WPBF has been discontinued.Replacement 600V high speed switching series third generation IGBT G30H603 TO247-3 30A
VERWANDTE PRODUKTE
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.
IKCM30F60GD IPM MODULE IGBT 600V 30A 24-Pin MDIP Tube IKCM30F60GDXKMA1
R6020KNX MOSFET R6020KNXC7
R6020KNX MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM R6020KNXC7G R6020KNXC7
IGW75N60H3
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
IKCM30F60GD IPM MODULE IGBT 600V 30A 24-Pin MDIP Tube IKCM30F60GDXKMA1
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R6020KNX MOSFET R6020KNXC7 |
R6020KNX MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM R6020KNXC7G R6020KNXC7
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IGW75N60H3 |
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MOQ:
10pieces