F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
fabricant:
ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Beschreibung:
ESMT DRAM DDR SDRAM Speicher IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5V 4K 166/200/250MHz
Kategorie:
Integrierte Schaltungen IC
In-Vorrat:
Auf Lager
Preis:
US$0.80
Zahlungs-Methode:
T/T
Versandmethode:
äußern
Spezifikationen
Merkmale:
F59L4G81KSA (2N) 4 Gbit (512 M x 8) 3,3 V NAND-Flash-Speicher-IC
Produktname:
F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
Kategorie:
Integrierte Schaltkreise (ICs)-F59L4G81KSA
Paket/Koffer:
TSOP /BGA
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 85°C (TA)
Montageart:
Oberflächenmontage
Hersteller:
ESMT
Basisproduktnummer:
F59L4G81KSA
Einleitung
F59L4G81KSA (2N) 4 Gbit (512M x 8) 3,3 V NAND-Flash-Speicher-IC
-F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
Betriebstemperatur -40°C bis 85°C
Generell beschrieben
Das Gerät ist ein 4 GB SLC NAND Flash-Speicher, der durch zwei 2 GB-Chips für einige spezielle Operationen und Anwendungen gestapelt ist.Das Gerät verfügt über zwei 2176-Byte-statische Register, die es ermöglichen, Programm- und Lesedaten in 2176-Byte-Inkrementen zwischen dem Register und dem Speicherzell-Array zu übertragenDie Löschoperation wird in einer einzigen Block-Einheit (128Kbyte + 8Kbyte) durchgeführt.Das Gerät ist ein Speichergerät, das die E/A-Pins sowohl für Adress- als auch für Dateneingabe/Ausgabe sowie für Befehlseingänge verwendetDie Lösch- und Programmvorgänge werden automatisch ausgeführt, wodurch das Gerät für Anwendungen wie Solid-State-Datei-Speicherung, Sprachaufzeichnung,Bilddatei-Speicher für Standkameras und andere Systeme, für die eine hohe Dichte an nicht flüchtigen Speicherdaten erforderlich ist.
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) ist ein professionelles IC-Design-Unternehmen, das im Juni 1998 im Hsinchu Science Industrial Park in Taiwan gegründet wurde.Das Hauptgeschäft des Unternehmens umfasst das eigene Marken-IC-Produktdesign, Produktion, Vertrieb und technische Dienstleistungen. ESMT wurde im März 2002 erfolgreich an der Taiwan Stock Exchange mit Code 3006 börsennotiert.
Order-Information:
| DRAM DDR SDRAM | |||||
| 64 MB. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M13S64164A | 4 Mbx16 | DDR SDRAM 2.5 V | 4K | 166/200/250 MHz | 66 TSOPII |
| M13S64164A-5TG | |||||
| 128 MB | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M13S128168A (2S) | 8 Mbx16 | DDR SDRAM 2.5 V | 4K | 160/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 256 MB | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M13S2561616A ((2T) | 16 Mbx16 | DDR SDRAM 2.5 V | 7.8 US. | 166/200/250 MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 512 Mb. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M13S5121632A | 32 Mbx16 | DDR SDRAM 2.5 V | 7.8 US. | 166/200 MHz | 66-Pin TSOPII |
| DDR2 SDRAM | |||||
| 128 MB | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M14D128168A (2Y) | 8 Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | 4K | 400/533/600/667 MHz | 84 Ball FBGA |
| 256 MB | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M14D2561616A | 16 Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | 8K | 400/533/667 MHz | 84 Ball BGA |
| M14D2561616A(2C) | 16 Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | 8K | 400/533/667 MHz | 84 Ball BGA |
| 512 Mb. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M14D5121632A | 32 Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | - | 400/533/600/667 MHz | 84 Ball BGA |
| M14D5121632A (2M) | 32 Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | 8K | 400/533/667 MHz | 84 Ball BGA |
| 1 GB. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M14D1G1664A (2P) | 64 Mbx16 | DDRII SDRAM 1.8V | 8K | 400/533/600/667 MHz | 84 Ball BGA |
| M14D1G8128A (2P) | 128 Mbx8 | DDRII SDRAM 1.8V | 8K | 400/533/600/667 MHz | 60 Ball BGA |
| DDR3 ((L) SDRAM | |||||
| 512 Mb. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M15T5121632A | 32 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933 MHz | 96 Ball BGA |
| 1 GB. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M15T1G1664A (2S) | 64 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G8128A(2S) | 128 Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 78 Ball BGA |
| M15T1G1664A (2T) | 64 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G1664A (2Z) | 64 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15F1G1664A (2S) | 64 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.5 V | - | 933/1066/1200 MHz | 96 BAll BGA |
| Zwei Gbit. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M15T2G8256A ((2R) | 256 Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066 MHz | 78 Ball BGA |
| M15T2G16128A (((2R) | 128 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933 MHz | 96 Ball BGA |
| M15T2G16128A | 128 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066 MHz | 96 Ball BGA |
| M15T2G16128A (2D) | 128 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| M15T2G8256A (2D) | 256 Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 78 Ball BGA |
| 4 Gb. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M15T4G16256A (2S) | 256 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066 MHz | 96 Ball BGA |
| M15T4G16256A(2C) | 256 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066 MHz | 96 Ball BGA |
| M15T4G16256A (2P) | 256 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| M15T4G8512A (((2S) | 512 Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066 MHz | 78 Ball BGA |
| M15T4G8512A(2C) | 512 Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066 MHz | 78 Ball BGA |
| 8 GB. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M15T8G16512A (((2S) | 512 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/1.5V | - | 800/933/1066 MHz | 96 Ball BGA |
| DDR4 SDRAM | |||||
| 4 Gb. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M16U4G16256A ((2Z) | 256 Mbx16 | DDR4 1,2 V | - | 1333/ 1600 MHz | 96 Ball BGA |
| M16U4G8512A | 512 Mbx8 | DDR4 1,2 V | - | 1333/ 1600 MHz | 78 Ball BGA |
| LPSDR SDRAM | |||||
| 64 MB. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M52D64322A (2S) | 2 Mbx32 | LPSDR SDRAM 1.8V | 4K | 166 MHz | 54 Ball FBGA |
| 256 MB | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M52D2561616A(2F) | 16 Mbx16 | LPSDR SDRAM 1.8V | 8K | 143/166/200MHz | 54 Ball FBGA |
| M52D256328A(2F) | 8 Mbx32 | LPSDR SDRAM 1.8V | 4K | 143/166 MHz | 90 Ball FBGA |
| 512 Mb. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M52D5123216A | 16 Mbx32 | LPSDR SDRAM 1.8V | 8K | 143/166 MHz | 90 Ball BGA |
| M52D5121632A | 32 Mbx16 | LPSDR SDRAM 1.8V | 8K | 143/166/200MHz | 54 Ball FBGA |
| LPDDR SDRAM | |||||
| 64 MB. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M53D64164A (2C) | 4 Mbx16 | LPDDR SDRAM 1.8V | 4K | 200/220 MHz | 60 Ball BGA |
| M13D64322A (2S) | 2 Mbx32 | LPDDR SDRAM 1.8V | 4K | 200/222/250 MHz | 144 Ball FBGA |
| 256 MB | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M53D2561616A (2F) | 16 Mbx16 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 133/166/200MHz | 60 Ball BGA |
| M53D256328A (2F) | 8 Mbx32 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 133/166/200MHz | 144 Ball FBGA |
| 512 Mb. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M53D5121632A | 32 Mbx16 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 200 MHz | 60 Ball BGA |
| M53D5123216A | 16 Mbx32 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 200 MHz | 144 Ball FBGA |
| 1 GB. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M53D1G1664A | 64 Mbx16 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 133/166/200MHz | 60 Ball BGA |
| M53D1G3232A | 32 Mbx32 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 133/166/200MHz | 144 Ball FBGA |
| LPDDR2 SDRAM | |||||
| 512 Mb. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M54D5121632A | 32 Mbx16 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V | - | 400/ 533 MHz | 134 Ball BGA |
| M54D5123216A | 16 Mbx32 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V | - | 400/ 533 MHz | 134 Ball BGA |
| 1 GB. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M54D1G1664A | 64 Mbx16 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V | - | 333/400/533 MHz | 134 BGA |
| M54D1G1664A (2G) | 64 Mbx16 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V | - | 400/533 MHz | 134 BGA |
| M54D1G3232A (2G) | 32 Mbx32 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V | - | 400/533 MHz | 134 BGA |
| M54D1G3232A | 32 Mbx32 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V | - | 333/400/533 MHz | 134 BGA |
| Zwei Gbit. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M54D2G3264A | 64 Mbx32 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V | - | 333/400/533 MHz | 134 Ball BGA |
| M54D2G16128A | 128 Mbx16 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/ 1.2V | - | 333/400/533 MHz | 134 Ball BGA |
| LPDDR3 SDRAM | |||||
| 1 GB. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M55D1G3232A | 32 Mbx32 | LPDDR3 SDRAM 1.8V/ 1.2V | - | 800/ 933/ 1066 MHz | 178 Ball BGA |
| M55D1G1664A (2Y) | 64 Mbx16 | LPDDR3 SDRAM 1.8V/ 1.2V | - | 800/ 933/ 1066 MHz | 178 Ball BGA |
| 4 Gb. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M55D4G16256A | 256 Mbx16 | LPDDR3 SDRAM 1.8V/ 1.2V | - | 800/933/1066 MHz | 178 Ball BGA |
| M55D4G32128A ((2R) | 128 Mbx32 | LPDDR3 SDRAM 1.8V/ 1.2V | - | 800/933/1066 MHz | 178 Ball BGA |
| LPDDR4x SDRAM | |||||
| Zwei Gbit. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M56Z2G16128A (2R) | 128 Mbx16 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133 MHz | 200 Ball BGA |
| 4 Gb. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M56Z4G16256A | 256 Mbx16 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133 MHz | 200 Ball BGA |
| M56Z4G32128A (2R) | 128 Mbx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133 MHz | 200 Ball BGA |
| 8 GB. | |||||
| Teilnummer | Organisation | Beschreibung | Erneuerung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| M56Z8G32256A | 256 Mbx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866 MHz | 200 Ball BGA |
| M56Z8G32256A (2H) | 256 Mbx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 2133 MHz | 200 Ball BGA |
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FC51L04SFSA 2D MLC eMMC5.1 200MHz 153BGA eMCC Memory ICs FC51L04SFSAXSA1-2.58WE
FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP
FM73E885CQP1B HS400 800/933MHz 136BGA 8GB eMMC+8Gb LPDDR3 or 32GB eMMC+8Gb LPDDR3 EPOP FM73E3285CRTP1B(2R)
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A) |
FC51L04SFSA 2D MLC eMMC5.1 200MHz 153BGA eMCC Memory ICs FC51L04SFSAXSA1-2.58WE
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FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP |
FM73E885CQP1B HS400 800/933MHz 136BGA 8GB eMMC+8Gb LPDDR3 or 32GB eMMC+8Gb LPDDR3 EPOP FM73E3285CRTP1B(2R)
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