FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND-Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
fabricant:
ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Beschreibung:
FM6BD1G1GMB 1,8 V 1 GB NAND-Flash (128 MB x 8), 1,8 V, 1 GB LPDDR2 SDRAM (32 MB x 32), 45 ns, 400/53
Kategorie:
Mikrocontroller-IC
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Spezifikationen
Produktname:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND-Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Beschreibung:
FM6BD1G1GMB 1,8 V 1 GB NAND-Flash (128 MB x 8), 1,8 V, 1 GB LPDDR2 SDRAM (32 MB x 32), 45 ns, 400/53
Kategorie:
Integrierte Schaltkreise (ICs)-FM6BD1G1GMB
Paket/Koffer:
10,5x8 (mm) 162BGA
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 85°C (TA)
Montageart:
Oberflächenmontage
Hersteller:
ESMT
Basisproduktnummer:
FM6BD1G1GMB
Teilenummern:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCEFM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Einleitung
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Beschreibung:FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10,5x8 (mm) 162BGA
Die Angabe der Größe des Zustands ist in der Angabe des Zustands zu entnehmen.
Mehr MCP-Flash-Speicher-ICs Teilnummer:
| 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Teil_ Nummer | Beschreibung | Geschwindigkeit ((MHZ) | Paket |
| Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln: | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1,8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45 ns, 400/533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| Der Ausdruck "FAM62D1G1GMB" ist für den Bereich "FAM62D1G1GMB" zu verwenden. | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1,8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 45 ns, 400/533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| FM6BD1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1,8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45 ns, 400/533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| 2G+1G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Teil_ Nummer | Beschreibung | Geschwindigkeit ((MHZ) | Paket |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 30ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| 2G+2G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Teil_ Nummer | Beschreibung | Geschwindigkeit ((MHZ) | Paket |
| Die Angabe der Anschrift ist in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 zu finden. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30 ns; 400/533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| Der Ausdruck "FAM62D2G2GKA" wird durch die folgenden Wörter ersetzt: | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 45 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| 2G+2G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Teil_ Nummer | Beschreibung | Geschwindigkeit ((MHZ) | Paket |
| Die Angabe des Zustands des Zustands des Zustands des Zustands des Zustands des Zustands des Zustands des Zustands des Zustands des Zustands des Zustands des Zustands. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30 ns; 1866 MHz | 9.5x8 (mm), 149 Kugel |
| 4G+2G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Teil_ Nummer | Beschreibung | Geschwindigkeit ((MHZ) | Paket |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| Der Ausdruck "B" ist der Ausdruck, der in der Angabe "B" verwendet wird. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30 ns; 533/400 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Stromversorgung. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| Die Angabe des Zustands des Zustands des Zustands der Zustände ist in Anhang I zu entnehmen. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| 4G+2G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Teil_ Nummer | Beschreibung | Geschwindigkeit ((MHZ) | Paket |
| Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30 ns; 1866 MHz | 9.5x8 (mm), 149 Kugel |
| 4G+4G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Teil_ Nummer | Beschreibung | Geschwindigkeit ((MHZ) | Paket |
| FM6BD4G4GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30 ns; 400/ 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| Die Angabe der Anschrift ist in der Anschrift "A" anzugeben. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 45 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 Kugel |
| 4G+4G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Teil_ Nummer | Beschreibung | Geschwindigkeit ((MHZ) | Paket |
| Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 4Gb LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30 ns; 1866/2133 MHz | 9.5x8 (mm), 149 Kugel |
| 8G+8G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Teil_ Nummer | Beschreibung | Geschwindigkeit ((MHZ) | Paket |
| Die Angabe der Anschrift ist nicht erforderlich, da die Anschrift nicht in der Anschrift angegeben ist. | 1.8V 4Gb x2die NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 4Gb x2die LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30 ns; 1866/ 2133 MHz | 9.5x8 (mm), 149 Kugel |
| 16G+16G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Teil_ Nummer | Beschreibung | Geschwindigkeit ((MHZ) | Paket |
| Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 zu entnehmen. | 1.8V 8Gb x2die NAND Flash (1024Mbx8) + 1.8V 16Gb x1die LPDDR4x SDRAM (1Gbx16) | 30 ns; 2133 MHz | |
Anwendung:
Automobilindustrie
Vernetzung
Verbraucher
Set Top Box
Industrie
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IOT
Sicherheitsüberwachung
Tragbare Geräte
PC-Peripheriegeräte
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) ist ein professionelles IC-Design-Unternehmen, das im Juni 1998 im Hsinchu Science Industrial Park in Taiwan gegründet wurde.Das Hauptgeschäft des Unternehmens umfasst das eigene Marken-IC-Produktdesign, Produktion, Vertrieb und technische Dienstleistungen. ESMT wurde im März 2002 erfolgreich an der Taiwan Stock Exchange mit Code 3006 börsennotiert.
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| SPI NAND | |||
| 1 GB. | |||
| Teilnummer | Beschreibung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | SPI NAND Flash, 3,3 V | 104 MHz | WSON mit 8 Kontakten |
| F50D1G41LB ((2M) | SPI-NAND-Flash, 1,8 V | 50 MHz | WSON mit 8 Kontakten |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. | SPI NAND Flash, 3,3 V | 104 MHz | 8 Kontakte WSON/ 24 Kugel BGA |
| Zwei Gbit. | |||
| Teilnummer | Beschreibung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. | SPI NAND Flash, 3,3 V | 104 MHz | WSON mit 8 Kontakten |
| Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. | SPI NAND Flash, 3,3 V | 104 MHz | LGA mit 8 Kontakten |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 216/2008 enthalten sind. | SPI-NAND-Flash, 1,8 V | 83 MHz | LGA mit 8 Kontakten |
| Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. | SPI-NAND-Flash, 1,8 V | 83/ 104 MHz | WSON mit 8 Kontakten |
| 4 Gb. | |||
| Teilnummer | Beschreibung | Geschwindigkeit (mHz) | Paket |
| F50D4G41XB(2X) | SPI NAND Flash 1,8 V | 83 MHz | LGA mit 8 Kontakten |
| F50L4G41XB(2X) | SPI NAND Flash, 3,3 V | 104 MHz | WSON mit 8 Kontakten |
| F50D4G41XB(2XE) | SPI NAND Flash 1,8 V | 83 MHz | LGA mit 8 Kontakten |
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