13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
FMV13N60ES 600V 30A n Chanel MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Kategorie:
Elektronische Komponenten
In-Vorrat:
Auf Lager
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Versandmethode:
Äußern
Spezifikationen
Kategorie:
Elektronische Komponenten-IGBTS-Transistoren-Mosfet
Familie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Typ:
N-Ch-MOSFET
Niedrige Teilnummer:
13n60es
Details:
FMV13N60ES 600V 30A n Chanel MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Anwendungen:
Induktives Kochen ， Anwendungen für weiche Schaltungen
Beschreibung:
IGBT NPT, Grabenfeldstopp
Paket:
TO220
Montagetyp:
Durch Loch
Einleitung
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 3N60ES
Applications:
• Inductive Cooking
• Soft Switching Applications
Specification:FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
| Part number | 13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET |
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Category
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Discrete Semiconductor Products
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Transistors - IGBTs - Single
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Series
|
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
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Package
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Tube
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Operating Temperature
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Mounting Type
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Through Hole
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Package / Case
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TO-220
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Supplier Device Package
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TO-220 3P
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Environmental & Export Classifications
| ATTRIBUTE | DESCRIPTION |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
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Die Kommission wird die Kommission auffordern, ihre Stellungnahme zu dem Bericht vorzulegen, den sie im Rahmen des Europäischen Parlaments und des Rates vorgelegt hat.
TT430N16KOF Thyristor module Full Serise Infineon IGBT
Die Daten werden in der Tabelle 1 angegeben.
Diode Modules 20mm Solder Bond Rectifier
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die Kommission wird die Kommission auffordern, ihre Stellungnahme zu dem Bericht vorzulegen, den sie im Rahmen des Europäischen Parlaments und des Rates vorgelegt hat. |
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Die Daten werden in der Tabelle 1 angegeben. |
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MOQ:
10pieces