19N60E FMV19N60E FUJI Transistoren
fabricant:
Fuji elektrisch
Beschreibung:
19N60 Leistungs-MOSFET N-Kanal 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Kategorie:
Integrierte Schaltungen IC
In-Vorrat:
Vorräte
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Spezifikationen
Kategorie:
Elektronische Komponente-integrierte Stromkreise
Serie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Montageart:
Zwar Loch
Paket:
DIP
Beschreibung:
19N60 Transistoren N-Kanal-TO-3P-Leistungs-MOSFET
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 155 °C
HSCode:
8542.39.0001
Modellbezeichnung:
19N60E FMV19N60E Leistungs-MOSFET N-Kanal
Einleitung
Elektronische Komponenten Integrierte Schaltkreise (ICs)
19N60E FMV19N60E Transistoren N-Kanal Leistungs-MOSFET
Spezifikation: Leistungs-MOSFET N-Kanal 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
| Kategorie | Integrierte Schaltkreise (ICs) |
| Produktname | Elektronische Komponenten |
| Modellnummer | 19N60E FMV19N60E Transistoren N-Kanal TO-3P Leistungs-MOSFET |
| Hersteller | ONSEMI |
| Serie | 19N60E Leistungs-MOSFET N-Kanal 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
| Gehäuse | Standardgehäuse |
| Zustand | Neu und Originalverpackt |
| Lieferzeit | Auf Lager, kann sofort versendet werden |
| Eigenschaften | Leistungs-MOSFET N-Kanal 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
| Gehäuse / Gehäuse | TO3P |
| Montageart | DURCH LOCH |
| Basisproduktnummer | 8N100 |
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Umwelt- und Exportklassifizierungen
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
Angel Technology Electronics CO. ist seit 2006 ein Distributor für elektronische Komponenten.Unsere Produkte umfassenMixed-Signal-
und digitale Signalverarbeitungs- (DSP-) integrierte Schaltkreise (ICs), die in praktisch allen Arten von elektronischen Geräten verwendet werden.
VERWANDTE PRODUKTE
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des Europäischen Parlaments und des Rates [2] erfasst.
FM25V20 FM25V020 FUJI FRAM Memory Circuit IC
7MBR15SA120-50
IGBT, 7 PACK MOD, 1200V, 15A, M711; Module Configuration: Seven; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des Europäischen Parlaments und des Rates [2] erfasst. |
FM25V20 FM25V020 FUJI FRAM Memory Circuit IC
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7MBR15SA120-50 |
IGBT, 7 PACK MOD, 1200V, 15A, M711; Module Configuration: Seven; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector
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MOQ:
10pieces