BLITZ 48VQFN ATSAMD51G18A-MU Mikrochip ICs MCU 32BIT 256KB integrierte Schaltungen
Die Angabe des Zertifikats ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 765/2008 zu entnehmen.
,48VQFN integrierte Schaltungen
,MCU IC 32BIT 256KB FLASH
BLITZ 48VQFN ATSAMD51G18A-MU Mikrochip ICs MCU 32BIT 256KB integrierte Schaltungen
ARM Mikroregler - BLITZ 4 MCU 120MHZ 256KB 8 QFN
BLITZ 48QFN ICS MCU 32BIT 256KB
Mikroregler IC einkerniges 32-Bit-120MHz 256KB (256K x 8) GRELLES 48-QFN (7x7) Reihe ARM® Cortex®-M4F
ATSAMD51G18A-MU Spezifikation:
|
Kategorie
|
Integrierte Schaltungen (IC)
|
|
Eingebettet - Mikroregler
|
|
|
Mfr
|
Mikrochip-Technologie
|
|
Reihe
|
SAM D51
|
|
Paket
|
Behälter
|
|
Produkt-Status
|
Aktiv
|
|
Kern-Prozessor
|
ARM® Cortex®-M4F
|
|
Speicherkapazität
|
32-Bit-einkerniges
|
|
Geschwindigkeit
|
120MHz
|
|
Zusammenhang
|
EBI/EMI, i-² C, IrDA, LINbus, MMC/SD, QSPI, SPI, UART/USART, USB
|
|
Peripherie
|
Spannungsabfall ermitteln,/Zurückstellen, DMA, i-² S, POR, PWM
|
|
Zahl von Input/Output
|
37
|
|
Programm-Speicherkapazität
|
256KB (256K x 8)
|
|
Programm-Gedächtnis-Art
|
BLITZ
|
|
EEPROM-Größe
|
-
|
|
RAM Size
|
128K x 8
|
|
Spannung - Versorgung (Vcc/Vdd)
|
1.71V | 3.63V
|
|
Umsetzer
|
A/D 20x12b; D/A 2x12b
|
|
Oszillator-Art
|
Intern
|
|
Betriebstemperatur
|
-40°C | 85°C (TA)
|
|
Befestigung der Art
|
Oberflächenberg
|
|
Paket/Fall
|
48-VFQFN stellte Auflage heraus
|
|
Lieferanten-Gerät-Paket
|
48-QFN (7x7)
|
|
Niedrige Produkt-Zahl
|
ATSAMD51
|
Eigenschaften:
Betriebsbedingungen:
• 1.71V zu 3.63V, -40°C zu +125°C, DC zu 100 MHZ
• 1.71V zu 3.63V, -40°C zu +105°C, DC zu 120 MHZ
• 1.71V zu 3.63V, -40°C zu +85°C, DC zu 120 MHZ
Kern: 120 MHZ-Arm Cortex-M4
• 403 CoreMark® bei 120 MHZ
• 4 KBs kombinierten Anweisungspufferspeicher und Datenpufferspeicher
• Einheit des Speicherschutz-8-Zone (MPU)
• Thumb®-2 Befehlsatz
• Eingebettetes Trace Module (ETM) mit Anweisungsspurnstrom
• Kern Anblick eingebettetes Trace Buffer (ETB)
• Trace Port Interface Unit (TPIU)
• Gleitkomma-Einheit (FPU)
Gedächtnisse
• 1 Insystem MB/512 KB/256 KB selbst-programmierbares grelles mit:
– Fehlerkorrektur-Code (ECC)
– Doppelbank mit Lesen-Während-schreiben Unterstützung (RWW)
– EEPROM-Hardware-Emulation (SmartEEPROM)
• 128 KBs, 192 KBs, Arbeitsspeicher 256 KBs SRAM
– 64 KBs, 96 KBs, 128 KBs Fehlerkorrektur-Code (ECC) RAM-Wahl
• Bis 4 KBs des fest verkoppelten Gedächtnisses (TCM)
• Bis 8 KBs zusätzliches SRAM
– Kann im Ersatzmodus behalten werden
• Acht 32-Bit-Ersatzregister
System
• Macht-auf Entdeckung des Zurückstellens (POR) und des Spannungsabfalls (VERSCHLUSSPFROPFEN)
• Interne und externe Uhrwahlen
• Externe Unterbrechungssteuerung (EIC)
• 16 externe Unterbrechungen
• Eine nicht maskierbare Unterbrechung
• Zwei-Stiftseriendraht prüfen (SWD) die Programmierung, Test und Ausprüfenschnittstelle aus
Stromversorgung
• Untätig, Bereitschafts, halten Sie Winterschlaf, Ersatz und weg von den Schlafmodi
• SleepWalking Peripherie
• Notstromversorgung durch Batterien-Anschlussaufträge
• Eingebetteter Buck-/LDOregler, der Schnellauswahl stützt
Klima- u. Export-Klassifikationen
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS-Status | ROHS3 konform |
| Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REICHWEITE Status | ERREICHEN Sie unberührtes |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |