Silikon-Epitaxial- planares der Schaltdiode-1SS226 für ultra Hochgeschwindigkeitsschaltung
Kategorie:
Dioden Transistoren
In-Vorrat:
Vorräte
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Spezifikationen
Kategorie:
Elektronische Komponente-Dioden
Eigenschaften:
Silikon-Epitaxial- planares der Schaltdiode-1SS226
Familie:
NPN beeinflußte Signal-Transistor SOT-323
Montage:
Oberflächenmontage
Anwendung:
Ultra-Hoch-Geschwindigkeits-Schaltung
Paket:
3-Pin SOT23
Beschreibung:
Energie, zugeschaltete hallo SPD-Schalter-Diode 0.1A 80V VR
Vorbereitungs- und Anlaufzeit:
Auf Lager
Hervorheben:
Schaltdiode-Silikon-Epitaxial- planares
,Zugeschaltetes Silikon-Epitaxial- Hochgeschwindigkeitsplanares
,Transistoren der Schaltdiode-1SS226
Einleitung
Silikon-Epitaxial- planares der Schaltdiode-1SS226 für Ultra-Hoch-Geschwindigkeits-Schaltung
1. Anwendungen
• Ultra-Hoch-Geschwindigkeits-Schaltung
2. Eigenschaften
(1) qualifizierte AEC-Q101
| Eigenschaft | Hochgeschwindigkeitsschaltung |
|---|---|
| Interne Verbindung | Reihe |
| Zahl von Stromkreisen | 2 |
| AEC-Q101 | Qualifiziert (*) |
| Kompatible Produkte RoHS (#) | Verfügbar |
1SS226TE85IF
Diode, die 85V 0.1A 3-Pin S-Mini-T/R schaltet
| Führungs-Ende | Zinn-Silber-Kupfer |
| Max Processing Temp | 260 |
| Montage | Oberflächenberg |
| Betriebstemperatur | °C -55 bis 125 |
| Durchschnittlicher Vorwärtshöchststrom | 0,1 A |
| Höchstvorwärtsspannung | 1,2 V |
| Nichtfortlaufende HöchstÜberspannung | 2 A |
| Sich wiederholende HöchstSperrspannung | 85 V |
| Höchstrückstrom | 0,5 MA |
| Höchstrückgenesungszeit | 4 ns |
| Pin Count | 3 |
| Produkt-Maße | 2,9 x 1,5 x 1,1 Millimeter |
| Lieferanten-Paket | S-Mini |
| Art | Schaltdiode |
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Auf Lager:
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MOQ:
100pcs