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FETs Transistoren MOSFET 49V 80A N-Kanal BTS282Z E3230 TO220-7

Kategorie:
Diskrete Halbleiter
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Spezifikationen
Beschreibung:
N-Kanal MOSFET 49V 80A
Familie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Kategorie:
Elektronische Komponenten-MOSFET (Metalloxid)
Reihe:
Energie MOSFET
Niedrige Teilnummer:
BTS282Z
Details:
Transport MOSFET N-CH 49V 80A Automobil-7-Pin (7+Tab) TO-220
Art:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Paket:
TO220-7
Befestigung der Art:
Durch Loch
Markieren:

FETs Transistoren 49V 80A

,

N-Kanal MOSFET-Transistoren FETs

Einleitung

FETs Transistoren MOSFET 49V 80A N-Kanal BTS282Z E3230 TO220-7

Energie BTS282ZE3230AKSA2 MOSFET von Infineon Technologies. Seine Höchstleistungsableitung ist 300000 mW.

Um Teile sicherzustellen werden nicht durch das Massenverpacken, dieses Produkt kommt in Röhrenverpackung mehr ein wenig zu addieren beschädigt

Schutz durch die Speicherung der losen Teile in einem äußeren Rohr.

Dieser MOSFET-Transistor hat einen Betriebstemperaturbereich °C -40 bis 175 °C.

Dieser n-Kanal MOSFET-Transistor funktioniert im Anreicherungstyp.

Spezifikation:

Kategorie
Getrennte Halbleiter-Produkte
 
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Mfr
Infineon Technologies
Reihe
TEMPFET®
Paket
Rohr
Teil-Status
Veraltet
Fet-Art
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
49 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
2V @ 240µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (maximal)
±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
4800 PF @ 25 V
Fet-Eigenschaft
Temperatur, die Diode abfragt
Verlustleistung (maximal)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art
Durch Loch
Lieferanten-Gerät-Paket
P-TO220-7-230
Paket/Fall
TO-220-7

Klima- u. Export-Klassifikationen
ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3 konform
Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) 1 (unbegrenzt)
REICHWEITE Status ERREICHEN Sie unberührtes
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

Teilnummer BTS282Z E3230
Niedrige Teilnummer BTS282Z
EU RoHS Konform mit Befreiung
ECCN (US) EAR99
Teil-Status Aktiv
HTS 8541.29.00.95

FETs Transistoren MOSFET 49V 80A N-Kanal BTS282Z E3230 TO220-7FETs Transistoren MOSFET 49V 80A N-Kanal BTS282Z E3230 TO220-7

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