Zweipoliger BJT Transistor-getrennte Halbleiter PBHV8540X PBHV8540 Nexperia
PBHV8540X
,PBHV8540
,Zweipoliger BJT Transistor Nexperia
Zweipoliger (BJT) Transistor 500V 0,5 PBHV8540X PBHV8540 Nexperia EIN NPN ein niedriger VCEsat (BISS) Hochspannungstransistor NPN
Getrennter niedriger VCEsat (BISS) Hochspannungstransistor der Halbleiter-Produkte-EIn NPN
Beschreibung:
Niedriger VCEsat Hochspannungsdurchbruch NPN im differenziellen Transistor (BISS) in einer mittleren Energie SOT89 (SC-62) und flache Führung Oberfläche-angebrachten Plastikeinem paket des Gerätes (SMD). PNP-Ergänzung: PBHV9040X.
Anwendung:
• LED-Fahrer für LED-Kettenmodul
• Lcd-Backlighting
• Automobilbewegungsmanagement
• Hakenschalter für verdrahtete Telekommunikation
• Schalter-Modus-Stromversorgung (SMPS)
Eigenschaften:
• Hochspannung
• Niedrige Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCEsat
• Hohe Kollektorstromfähigkeit IC und ICM
• Hohes Kollektorstrom-Gewinn hFE bei hohem IC
• AEC-Q101 qualifizierte
Namen-Beschreibungs-Version
Oberfläche-angebrachtes Plastikpaket PBHV8540X SOT89; sterben Auflage für gute Wärmeübertragung; 3 Führungen
Produkt-technische Spezifikationen
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Kategorie
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Getrennte Halbleiter-Produkte
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Transistoren - zweipolig (BJT) - einzeln
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Mfr
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Nexperia USA Inc.
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Teil-Status
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Aktiv
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Transistor-Art
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NPN
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Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal)
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500 MA
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Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal)
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400 V
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Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC
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250mV @ 60mA, 300mA
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Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal)
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100nA
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Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce
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100 @ 50mA, 10V
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Macht- maximales
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520 mW
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Frequenz - Übergang
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30MHz
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Betriebstemperatur
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150°C (TJ)
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Befestigung der Art
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Oberflächenberg
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Paket/Fall
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TO-243AA
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Lieferanten-Gerät-Paket
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SOT-89
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Niedrige Produkt-Zahl
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PBHV8540
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| Teilnummer | PBHV8540X, 115 |
| EU RoHS | Konform mit Befreiung |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Teil-Status | Aktiv |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Bilder: