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IRF1404 IRF1404PBF N-Kanal-Leistungs-MOSFET 40 V Diskrete Halbleiter

Kategorie:
Diskrete Halbleiter
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Spezifikationen
Details:
Transistor-MOSFET N-CH 40 V Einzelner N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse
Art:
Transistoren - Energie MOSFET
Familie:
Diskrete Halbleiterprodukte-Gleichrichter
Kategorie:
elektronische Bauelemente
Niedrige Teilnummer:
IR1404 ODER IR2404Z
Kanal-Modus:
Verbesserung
Paket:
TO220
Befestigung der Art:
Durch Loch
Markieren:

IRF1404PBF N-Kanal-Leistungs-MOSFET

,

IRF1404 N-Kanal-Leistungs-MOSFET

,

Diskrete 40-V-MOSFET-Halbleiter

Einleitung

IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40-V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse
 

Über IRF1404PBF:

 

Zusammenfassung der Funktionen
IRF1404 40-V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse
Planare Zellstruktur für Wide SOA
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Oberflächenmontiertes Leistungspaket nach Industriestandard
Hohe Stromstärke

 

Leistungen :

Erhöhte Robustheit
Kompatibilität mit mehreren Anbietern
Qualifizierungsniveau nach Branchenstandard
Die Standard-Pinbelegung ermöglicht einen Drop-in-Ersatz
Hohe Strombelastbarkeit

Technische Produktspezifikationen

Parameter IRF1404
ID (@25°C) max 202A
Montage THT
Pges max 200 W
Paket TO-220
Polarität n
QG (typ. @10V) 131 nC
Qgd 42 nC
RDS (ein) (@10V) max 4 mΩ
RthJC max 0,75 K/W
Besondere Merkmale Breite SOA
Tj max 175 Grad
VDS-max 40 V
VGS(th) min max 3 V 2 V 4 V
VGSmax 20 V

 

IRF1404Z

40-V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse

 

Zusammenfassung der Funktionen

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Durchsteckbares Leistungspaket nach Industriestandard
Hochstrombelastbares Paket

 

Leistungen

 

Kompatibilität mit mehreren Anbietern

Qualifizierungsniveau nach Branchenstandard

Die Standard-Pinbelegung ermöglicht einen Drop-in-Ersatz

Erhöhte Strombelastbarkeit

 

Parameter IRF1404Z
ID (@25°C) max 180 A
Montage THT
Pges max 220 W
Paket TO-220
Polarität n
QG (typ. @10V) 100 nC
Qgd 42 nC
RDS (ein) (@10V) max 3,7 mΩ
RthJC max 0,65 K/W
Tj max 175 Grad
VDS-max 40 V
VGS(th) min max 3 V 2 V 4 V
VGSmax 20 V

 

IRF1404 IRF1404PBF N-Kanal-Leistungs-MOSFET 40 V Diskrete HalbleiterIRF1404 IRF1404PBF N-Kanal-Leistungs-MOSFET 40 V Diskrete Halbleiter

IRF1404 IRF1404PBF N-Kanal-Leistungs-MOSFET 40 V Diskrete Halbleiter

IRF1404 IRF1404PBF N-Kanal-Leistungs-MOSFET 40 V Diskrete Halbleiter


 

Weitere Teilenummern für General Semiconductor:

Artikelnummer MFG Pakettyp
JW1060 JuWell SOP8-E
SL1053 SILAN SOP8
ST8550D ST ZU-92
SS8050DBU ST ZU-92
PC847 SCHÖNES KIND DIP-16
PC817A SCHÖNES KIND DIP-4
PC123F SCHARF DIP-4
OB2353 OB SOP-8
NE555P ST DIP-8
MC34063 AN SOP-8
LM7806 ST TO-220
LM78051A ST SOP
LM358 ST SOP-8
LM339 ST SOP
LM324 ST SO-14 (SMD)
LM2575T ST TO-220
LM7815 ST TO-220
LL4148-GS08 ST LL34
L7812CV ST TO-220
KA78M09 SCHÖNES KIND ZU-252
IRFZ44V2A IR TO-220
IRFP460 IR ZU-247
IRF840 IR TO-220
HEF4013 PHILIPS SOP-14
FQPF12N60C SCHÖNES KIND TO-220F
DTC143ZUAT106 ROHM SOT-323
DINS4 SCHINDENGEN DIP-2
IRFR9024N IR TO-252N
BAV99 Philip SOT-23
BA033ST ROHM SOT252
AM5888SL/F AMTEL HSOP-28
93LC66B MIKROCHIP DIP-8
93LC46 MIKROCHIP DIP-8
93C46B MIKROCHIP SOP-8
78L05 ST ZU-92
78L05 ST SOT89
74HC4066D Philip SMD
74HC4066 PHILIPS SO-14
74HC164 Philip SOP
24LC128 MIKROCHIP DIP-8
24LC08B MIKROCHIP DIP-8
1N5822-B Dioden inkl DO-201AD
MC1413DR2G ON Halbleiter SOP-16
HEF4069 Philip SO-14 (MOTOROLA)
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