Energie Mosfets der n-Kanal-Transistor-getrennte Halbleiter-SIHF10N40D-E3
Kategorie:
Diskrete Halbleiter
In-Vorrat:
Vorräte
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Spezifikationen
Details:
Transistor MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Art:
Transistoren - Energie MOSFET
Familie:
Diskrete Halbleiterprodukte-Gleichrichter
Kategorie:
elektronische Bauelemente
Niedrige Teilnummer:
SIHF10N40
Kanal-Modus:
Verbesserung
Paket:
TO220
Befestigung der Art:
Durch Loch
Hervorheben:
Energie SIHF10N40D-E3 Mosfets
,N-Kanal-Transistor
,Getrennte Halbleiter SIHF10N40D-E3
Einleitung
Kanaltransistor Energie SIHF10N40D-E3 Mosfets N funktioniert im Anreicherungstyp
Vishays SIHF10N40D-E3 Höchstleistungsableitung ist 33000 mW. Dieser n-Kanal MOSFET-Transistor funktioniert im Anreicherungstyp.
Dieser MOSFET-Transistor hat eine minimale Betriebstemperatur von °C -55 und ein Maximum von 150 °C.
Wenn Sie auch nicht verstärken müssen oder zwischen Signale in Ihrem Entwurf zu schalten, dann Vishays SIHF10N40D-E3 Energie ist MOSFET für Sie.
Produkt-technische Spezifikationen
| EU RoHS | Konform |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Teil-Status | Aktiv |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automobil | Nein |
| PPAP | Nein |
| Produkt-Kategorie | Energie MOSFET |
| Konfiguration | Einzeln |
| Kanal-Modus | Verbesserung |
| Kanaltyp | N |
| Zahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Maximale Abfluss-Quellspannung (V) | 400 |
| Maximale Gate-Source-Spannung (V) | ±30 |
| Maximale Tor-Schwellen-Spannung (V) | 5 |
| Maximaler ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges (a) | 10 |
| Maximaler Tor-Quelldurchsickern-Strom (Na) | 100 |
| Maximales IDSS (MA) | 1 |
| Maximaler Abfluss-Quellwiderstand (MOhm) | 600@10V |
| Typische Tor-Gebühr @ Vgs (nC) | 15@10V |
| Typische Tor-Gebühr @ 10V (nC) | 15 |
| Typische eingegebene Kapazitanz @ Vds (PF) | 526@100V |
| Höchstleistungs-Ableitung (mW) | 33000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 14 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 18 |
| Typische Abschaltverzögerungs-Zeit (ns) | 18 |
| Typische Einschaltverzögerungs-Zeit (ns) | 12 |
| Minimale Betriebstemperatur (°C) | -55 |
| Normalbetriebshöchsttemperatur (°C) | 150 |
| Lieferanten-Paket | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Standardpaket-Name | TO-220 |
| Montage | Durch Loch |
| Paket-Höhe | 16,12 (maximal) |
| Paket-Länge | 10,63 (maximal) |
| Paket-Breite | 4,83 (maximal) |
| PWB änderte | 3 |
| Vorsprung | Vorsprung |
| Führungs-Form | Durch Loch |
| Teilnummer | SIHF10N40D-E3 |
| Niedrige Teilnummer | SIHF10N40 |
| EU RoHS | Konform mit Befreiung |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Teil-Status | Aktiv |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Mehr Teilnummer für allgemeinen Halbleiter:
| Teilnummer | MFG | Packge-Art |
| JW1060 | JuWell | SOP8-E |
| SL1053 | SILAN | SOP8 |
| ST8550D | St. | TO-92 |
| SS8050DBU | St. | TO-92 |
| PC847 | FAIRCHILD | DIP-16 |
| PC817A | FAIRCHILD | DIP-4 |
| PC123F | SCHARFES | DIP-4 |
| OB2353 | OB | SOP-8 |
| NE555P | St. | DIP-8 |
| MC34063 | AUF | SOP-8 |
| LM7806 | St. | TO-220 |
| LM78051A | St. | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| LM358 | St. | SOP-8 |
| LM339 | St. | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| LM324 | St. | SO-14 (SMD) |
| LM2575T | St. | TO-220 |
| LM 7815 | St. | TO-220 |
| LL4148-GS08 | St. | LL34 |
| L7812CV | St. | TO-220 |
| KA78M09 | FAIRCHILD | TO-252 |
| IRFZ44V2A | IR | TO-220 |
| IRFP460 | IR | TO-247 |
| IRF840 | IR | TO-220 |
| HEF4013 | PHILIPS | SOP-14 |
| FQPF12N60C | FAIRCHILD | TO-220F |
| DTC143ZUAT106 | ROHM | SOT-323 |
| DINS4 | SHINDENGEN | DIP-2 |
| IRFR9024N | IR | TO-252N |
| BAV99 | Philip | SOT-23 |
| BA033ST | ROHM | SOT252 |
| AM5888SL/F | AMTEL | HSOP-28 |
| 93LC66B | MIKROCHIP | DIP-8 |
| 93LC46 | MIKROCHIP | DIP-8 |
| 93C46B | MIKROCHIP | SOP-8 |
| 78L05 | St. | TO-92 |
| 78L05 | St. | SOT89 |
| 74HC4066D | Philip | SMD |
| 74HC4066 | PHILIPS | SO-14 |
| 74HC164 | Philip | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| 24LC128 | MIKROCHIP | DIP-8 |
| 24LC08B | MIKROCHIP | DIP-8 |
| 1N5822-B | Dioden Inc. | DO-201AD |
| MC1413DR2G | AUF Halbleiter | SOP-16 |
| HEF4069 | Philip | SO-14 (MOTOROLA) |
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