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Energie Mosfets der n-Kanal-Transistor-getrennte Halbleiter-SIHF10N40D-E3

Kategorie:
Diskrete Halbleiter
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Spezifikationen
Details:
Transistor MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Art:
Transistoren - Energie MOSFET
Familie:
Diskrete Halbleiterprodukte-Gleichrichter
Kategorie:
elektronische Bauelemente
Niedrige Teilnummer:
SIHF10N40
Kanal-Modus:
Verbesserung
Paket:
TO220
Befestigung der Art:
Durch Loch
Markieren:

Energie SIHF10N40D-E3 Mosfets

,

N-Kanal-Transistor

,

Getrennte Halbleiter SIHF10N40D-E3

Einleitung

Kanaltransistor Energie SIHF10N40D-E3 Mosfets N funktioniert im Anreicherungstyp

Vishays SIHF10N40D-E3 Höchstleistungsableitung ist 33000 mW. Dieser n-Kanal MOSFET-Transistor funktioniert im Anreicherungstyp.

Dieser MOSFET-Transistor hat eine minimale Betriebstemperatur von °C -55 und ein Maximum von 150 °C.

Wenn Sie auch nicht verstärken müssen oder zwischen Signale in Ihrem Entwurf zu schalten, dann Vishays SIHF10N40D-E3 Energie ist MOSFET für Sie.

Produkt-technische Spezifikationen

EU RoHS Konform
ECCN (US) EAR99
Teil-Status Aktiv
HTS 8541.29.00.95
Automobil Nein
PPAP Nein
Produkt-Kategorie Energie MOSFET
Konfiguration Einzeln
Kanal-Modus Verbesserung
Kanaltyp N
Zahl von Elementen pro Chip 1
Maximale Abfluss-Quellspannung (V) 400
Maximale Gate-Source-Spannung (V) ±30
Maximale Tor-Schwellen-Spannung (V) 5
Maximaler ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges (a) 10
Maximaler Tor-Quelldurchsickern-Strom (Na) 100
Maximales IDSS (MA) 1
Maximaler Abfluss-Quellwiderstand (MOhm) 600@10V
Typische Tor-Gebühr @ Vgs (nC) 15@10V
Typische Tor-Gebühr @ 10V (nC) 15
Typische eingegebene Kapazitanz @ Vds (PF) 526@100V
Höchstleistungs-Ableitung (mW) 33000
Typische Abfallzeit (ns) 14
Typische Anstiegszeit (ns) 18
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit (ns) 18
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit (ns) 12
Minimale Betriebstemperatur (°C) -55
Normalbetriebshöchsttemperatur (°C) 150
Lieferanten-Paket TO-220FP
Pin Count 3
Standardpaket-Name TO-220
Montage Durch Loch
Paket-Höhe 16,12 (maximal)
Paket-Länge 10,63 (maximal)
Paket-Breite 4,83 (maximal)
PWB änderte 3
Vorsprung Vorsprung
Führungs-Form Durch Loch
Teilnummer SIHF10N40D-E3
Niedrige Teilnummer SIHF10N40
EU RoHS Konform mit Befreiung
ECCN (US) EAR99
Teil-Status Aktiv
HTS 8541.29.00.95

Energie Mosfets der n-Kanal-Transistor-getrennte Halbleiter-SIHF10N40D-E3

Energie Mosfets der n-Kanal-Transistor-getrennte Halbleiter-SIHF10N40D-E3






Mehr Teilnummer für allgemeinen Halbleiter:

Teilnummer MFG Packge-Art
JW1060 JuWell SOP8-E
SL1053 SILAN SOP8
ST8550D St. TO-92
SS8050DBU St. TO-92
PC847 FAIRCHILD DIP-16
PC817A FAIRCHILD DIP-4
PC123F SCHARFES DIP-4
OB2353 OB SOP-8
NE555P St. DIP-8
MC34063 AUF SOP-8
LM7806 St. TO-220
LM78051A St. BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
LM358 St. SOP-8
LM339 St. BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
LM324 St. SO-14 (SMD)
LM2575T St. TO-220
LM 7815 St. TO-220
LL4148-GS08 St. LL34
L7812CV St. TO-220
KA78M09 FAIRCHILD TO-252
IRFZ44V2A IR TO-220
IRFP460 IR TO-247
IRF840 IR TO-220
HEF4013 PHILIPS SOP-14
FQPF12N60C FAIRCHILD TO-220F
DTC143ZUAT106 ROHM SOT-323
DINS4 SHINDENGEN DIP-2
IRFR9024N IR TO-252N
BAV99 Philip SOT-23
BA033ST ROHM SOT252
AM5888SL/F AMTEL HSOP-28
93LC66B MIKROCHIP DIP-8
93LC46 MIKROCHIP DIP-8
93C46B MIKROCHIP SOP-8
78L05 St. TO-92
78L05 St. SOT89
74HC4066D Philip SMD
74HC4066 PHILIPS SO-14
74HC164 Philip BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
24LC128 MIKROCHIP DIP-8
24LC08B MIKROCHIP DIP-8
1N5822-B Dioden Inc. DO-201AD
MC1413DR2G AUF Halbleiter SOP-16
HEF4069 Philip SO-14 (MOTOROLA)
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