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IRF1404ZPBF N-Kanal-Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

Kategorie:
Diskrete Halbleiter
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Spezifikationen
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Familie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Kategorie:
Elektronische Komponenten-MOSFET (Metalloxid)
Reihe:
HEXFET-MOSFET (Metalloxid)
Niedrige Teilnummer:
IRF1404
Details:
N-Kanal 180A (Tc) 200W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB
Art:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Paket:
TO220
Befestigung der Art:
Durch Loch
Markieren:

IRF1404ZPBF N-Kanal-Transistor

,

180 A 200 W HEXFET FET MOSFET

,

N-Kanal-Transistor 180 A 200 W

Einleitung

IRF1404ZPBF Transistoren N-Kanal 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs

 

N-Kanal 180A (Tc) 200W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB Spezifikation:

Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
 
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Herst
Infineon-Technologien
Serie
HEXFET®
Paket
Rohr
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
180A (TC)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3,7 mOhm bei 75 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ ID
4 V bei 250 µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC bei 10 V
Vgs (max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4340 pF bei 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (TC)
Betriebstemperatur
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Befestigungsart
Durchgangsloch
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basisproduktnummer
IRF1404

 

Beschreibung

Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET verwendet die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen.

Weitere Merkmale dieses Produkts sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Bewertung für wiederholte Lawinen.Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

 

Umwelt- und Exportklassifikationen
ATTRIBUT BEZEICHNUNG
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
REACH-Status REACH Unberührt
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

 

Artikelnummer IRF1404ZPBF
Basis-Teilenummer IRF1404
EU-RoHS Freistellung konform
ECCN (USA) EAR99
Teilestatus Aktiv
HTS 8541.29.00.95

 

 

IRF1404ZPBF N-Kanal-Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFETIRF1404ZPBF N-Kanal-Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

 

 

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