IRF1404ZPBF N-Kanal-Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
IRF1404ZPBF N-Kanal-Transistor
,180 A 200 W HEXFET FET MOSFET
,N-Kanal-Transistor 180 A 200 W
IRF1404ZPBF Transistoren N-Kanal 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
N-Kanal 180A (Tc) 200W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB Spezifikation:
Kategorie
|
Diskrete Halbleiterprodukte
|
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
|
|
Herst
|
Infineon-Technologien
|
Serie
|
HEXFET®
|
Paket
|
Rohr
|
FET-Typ
|
N-Kanal
|
Technologie
|
MOSFET (Metalloxid)
|
Drain-Source-Spannung (Vdss)
|
40 V
|
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
|
180A (TC)
|
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
|
10V
|
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
|
3,7 mOhm bei 75 A, 10 V
|
Vgs(th) (Max) @ ID
|
4 V bei 250 µA
|
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
|
150 nC bei 10 V
|
Vgs (max.)
|
±20V
|
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
|
4340 pF bei 25 V
|
FET-Funktion
|
-
|
Verlustleistung (max.)
|
200W (TC)
|
Betriebstemperatur
|
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
|
Befestigungsart
|
Durchgangsloch
|
Gerätepaket des Lieferanten
|
TO-220AB
|
Paket / Koffer
|
TO-220-3
|
Basisproduktnummer
|
IRF1404
|
Beschreibung
Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET verwendet die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Weitere Merkmale dieses Produkts sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Bewertung für wiederholte Lawinen.Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
ATTRIBUT | BEZEICHNUNG |
---|---|
RoHS-Status | ROHS3-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
REACH-Status | REACH Unberührt |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
8541.29.0095 |
Artikelnummer | IRF1404ZPBF |
Basis-Teilenummer | IRF1404 |
EU-RoHS | Freistellung konform |
ECCN (USA) | EAR99 |
Teilestatus | Aktiv |
HTS | 8541.29.00.95 |