IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
100V 130A FET HEXFET Power Mosfet
,IRFB4310PBF
,IRFB7440PBF
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150V 104A Transistoren TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
Transistoren N-Kanal 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
---IRFB7440PBF 40 V 120 A IRFB4310PBF 100 V 130 A IRFB4115PBF 150 V 104 A
Beschreibung:
Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET verwendet die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Weitere Merkmale dieses Produkts sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Bewertung für wiederholte Lawinen.Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
N-Kanal 180A (Tc) 200W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB Spezifikation:
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Kategorie
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Diskrete Halbleiterprodukte
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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
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Herst
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Infineon-Technologien
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Serie
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HEXFET®
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Paket
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Rohr
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FET-Typ
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N-Kanal
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
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40 V
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Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
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180A (TC)
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Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
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10V
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Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
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3,7 mOhm bei 75 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ ID
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4 V bei 250 µA
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Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
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150 nC bei 10 V
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Vgs (max.)
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±20V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
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4340 pF bei 25 V
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FET-Funktion
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-
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Verlustleistung (max.)
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200W (TC)
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Betriebstemperatur
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-55 °C ~ 175 °C (TJ)
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Befestigungsart
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Durchgangsloch
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Gerätepaket des Lieferanten
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TO-220AB
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Paket / Koffer
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TO-220-3
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Basisproduktnummer
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IRF1404
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| ATTRIBUT | BEZEICHNUNG |
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| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH Unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |