DRV8106 Halbbrücken-Gate-Treiber-IC für Automobile

DRV8106-Q1 Automobil-Halbbrücken-Smart-Gate-Treiber mit breitem Gleichtakt-Inline-Strommessverstärker-IC

Beschreibung:

Der DRV8106-Q1 ist ein hochintegrierter Halbbrücken-Gate-Treiber, der High-Side- und Low-Side-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern kann.Es erzeugt die richtigen Gate-Ansteuerspannungen mit einer integrierten Verdoppler-Ladungspumpe für die High-Side und einem Linearregler für die Low-Side.

Das Gerät verwendet eine Smart-Gate-Drive-Architektur, um die Systemkosten zu senken und die Zuverlässigkeit zu verbessern.Der Gate-Treiber optimiert die Totzeit, um Durchschussbedingungen zu vermeiden, bietet Kontrolle zur Verringerung elektromagnetischer Interferenzen (EMI) durch einstellbaren Gate-Treiberstrom und schützt mit V vor Drain-zu-Source- und Gate-KurzschlüssenDSund vGSüberwacht.

Ein breiter Gleichtakt-Shunt-Verstärker bietet eine Inline-Strommessung, um den Motorstrom selbst während rezirkulierender Fenster kontinuierlich zu messen.Der Verstärker kann in Low-Side- oder High-Side-Erfassungskonfigurationen verwendet werden, wenn keine Inline-Erfassung erforderlich ist.

Der DRV8106-Q1 bietet eine Reihe von Schutzfunktionen, um einen robusten Systembetrieb zu gewährleisten.Dazu gehören Unter- und Überspannungswächter für Netzteil und Ladungspumpe, VDSÜberstrom und VGSGate-Fehler-Überwachung für die externen MOSFETs, Offline-Leerlauf- und Kurzschluss-Diagnose sowie interne Überhitzungswarnung und Abschaltschutz.

Merkmale :

AEC-Q100-qualifiziert für Automobilanwendungen:
Temperaturstufe 1: –40°C bis +125°C, TA
Halbbrücken-Smart-Gate-Treiber
4,9 V bis 37 V (40 V absolut max.) Betriebsbereich
Doppelte Ladungspumpe für 100 % PWM
Pin-to-Pin-Gate-Treibervarianten
DRV8705-Q1: H-Brücke mit Low-Side-Verstärker
DRV8706-Q1: H-Brücke mit Inline-Verstärker
Intelligente Gate-Antriebsarchitektur
Einstellbare Slew-Rate-Steuerung
0,5-mA- bis 62-mA-Spitzenquellstromausgang
0,5-mA- bis 62-mA-Spitzensenkstromausgang
Integriertes Totzeit-Handshaking
Breiter Gleichtaktstrom-Shunt-Verstärker
Unterstützt Inline, High-Side oder Low-Side
Einstellbare Verstärkungseinstellungen (10, 20, 40, 80 V/V)
Integrierte Rückkopplungswiderstände
Einstellbares PWM-Blanking-Schema
Mehrere Schnittstellenoptionen verfügbar
SPI: Detaillierte Konfiguration und Diagnose
H/W: Vereinfachte Steuerung und weniger MCU-Pins
Spread-Spektrum-Taktung zur EMI-Reduzierung
Kompaktes VQFN-Gehäuse mit benetzbaren Flanken
Integrierte Schutzfunktionen
Dedizierter Treiber-Deaktivierungs-Pin (DRVOFF)
Überwachung der Versorgungs- und Reglerspannung
MOSFET-VDS-Überstromüberwachung
MOSFET-VGS-Gate-Fehlerüberwachung
Ladungspumpe für MOSFET mit umgekehrter Polarität
Offline-Leerlauf- und Kurzschlussdiagnose
Thermische Warnung und Abschaltung des Geräts
Fehlerbedingungs-Interrupt-Pin (nFAULT)

Spezifikationen:

Anzahl der Vollbrücken 1/2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max.) (V) 40

Schlafstrom (uA) 2.5

Kontrollmodus PWM Steuerungsschnittstelle Hardware (GPIO), SPI Merkmale Inline-Strommessverstärker, Smart Gate Drive Bewertung Automobil Betriebstemperaturbereich (C) -40 bis 125

Umwelt- und Exportklassifikationen