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MSGEQ7 MIXED DIP8 elektronische Komponenten EEPROM-serieller IC-Chip

Kategorie:
Integrierte Schaltungen IC
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Beschreibung:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Details:
MSGEQ7 MIXED DIP8 elektronische Komponenten EEPROM-serieller IC-Chip
Kategorie:
Elektronische Komponente-integrierte Stromkreise (IC)
Reihe:
Speicherchip EEPROM-serieller IC-Chip
Befestigung der Art:
Aufputzmontage
Paket:
DIP8
Niedrige Teilnummer:
MSGEQ7
Funktionierende umgebende Temperaturspanne:
-40°C | 85°C (TA)
Einleitung

MSGEQ7 MIXED DIP8 elektronische Komponenten EEPROM-serieller IC-Chip

 

 

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BEZEICHNUNG
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 3 (168 Stunden)
REACH-Status REACH Unberührt
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

 

 Spezifikation:

Artikelnummer MSGEQ7
Kategorie
Integrierte Schaltungen (ICs)
 
PMIC - Gate-Treiber
Herst
Gemischt
Serie
-
Paket
Tape & Reel (TR)
Teilestatus
Aktiv
Gesteuerte Konfiguration
Niedrige Seite
Kanaltyp
Unabhängig
Anzahl der Fahrer
2
Gate-Typ
N-Kanal-, P-Kanal-MOSFET
Spannungsversorgung
4,5 V ~ 18 V
Logikspannung - VIL, VIH
0,8 V, 2,4 V
Strom - Spitzenausgang (Quelle, Senke)
1,5 A, 1,5 A
Eingabetyp
Invertieren
Anstiegs-/Abfallzeit (Typ)
19ns, 19ns
Betriebstemperatur
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Paket / Koffer
8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOIC
Basisproduktnummer
MSGEQ7

 

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Die TC4426/TC4427/TC4428 sind verbesserte Versionen der früheren TC426/TC427/TC428-Familie von MOSFET-Treibern.

Die Bausteine ​​TC4426/TC4427/TC4428 haben angepasste Anstiegs- und Abfallzeiten beim Laden und Entladen des Gates eines MOSFET.Diese Geräte sind unter allen Bedingungen innerhalb ihrer Leistungs- und Spannungsnennwerte äußerst widerstandsfähig gegen Latch-Ups.Sie werden nicht beschädigt, wenn bis zu 5 V Rauschspitzen (beliebiger Polarität) am Erdungsstift auftreten.Sie können ohne Beschädigung oder Logikstörung bis zu 500 mA Rückstrom (beliebiger Polarität) akzeptieren, der zurück in ihre Ausgänge gezwungen wird.Alle Anschlüsse sind vollständig gegen elektrostatische Entladung (ESD) bis zu 2,0 kV geschützt.

Die TC4426/TC4427/TC4428 MOSFET-Treiber können Gate-Kapazitäten von 1000 pF problemlos in weniger als 30 ns laden/entladen.Diese Bauteile bieten sowohl im Ein- als auch im Aus-Zustand ausreichend niedrige Impedanzen, um sicherzustellen, dass der beabsichtigte Zustand des MOSFET selbst durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird.Andere kompatible Treiber sind die Gerätefamilie TC4426A/TC4427A/TC4428A.

Die TC4426A/TC4427A/TC4428A-Bausteine ​​verfügen zusätzlich zu den abgestimmten Anstiegs- und Abfallzeiten der TC4426/TC4427/TC4428-Bausteine ​​über angepasste Eingangs-zu-Ausgangs-Verzögerungszeiten der Vorder- und Abfallflanke.

 

Merkmale:

• Hoher Spitzenausgangsstrom: 1,5 A

Großer Betriebsbereich der Eingangsversorgungsspannung: - 4,5 V bis 18 V

Antriebskapazität für hohe kapazitive Last: 1000 pF in 25 ns (typisch)

Kurze Verzögerungszeiten: 40 ns (typisch)

Abgestimmte Anstiegs- und Abfallzeiten

Niedriger Versorgungsstrom: - Mit logischem „1“-Eingang – 4 mA - Mit logischem „0“-Eingang – 400 µA

Niedrige Ausgangsimpedanz: 7

Latch-Up-geschützt: Widersteht 0,5 A Rückstrom

Der Eingang widersteht negativen Eingängen bis zu 5 V

Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD): 2,0 kV

Platzsparende 8-Pin-MSOP- und 8-Pin-6x5-DFN-S-Gehäuse

 

TC4426 TC4427 TC4428 Mikrochip 1,5-A-Dual-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC-Anwendungen:

Schaltnetzteile

Leitungstreiber

Impulstransformatorantrieb


 

Bilder:

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