BLITZ Mikrometer M29DW323 M29DW323DT70N6 NOCH elektronische Bauelemente ICs TSOP48 der Gedächtnis-integrierten Schaltungen
M29DW323DT70N6E-Mikrometer M29DW323 BLITZ NOCH elektronische Bauelemente ICs TSOP48 der Gedächtnis-integrierten Schaltungen
- Flash-Speicher M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 oder 2Mb x16, Doppelbank8:24, Stiefel-Block) Versorgungs-3V
Das M29DW323D ist ein 32 Mbit (4Mb x8 oder 2Mb x16) Permanentspeicher, der gelesen werden, gelöscht werden und umprogrammiert werden kann. Diese Operationen können unter Verwendung einer einzelnen Versorgung der Niederspannung (2,7 durchgeführt werden zu 3.6V). Auf Einschalten die Gedächtnisnichterfüllungen zu seinem gelesenen Modus. Das Gerät kennzeichnet eine asymetrische Blockarchitektur. Das M29DW323D hat eine Reihe von 8 Parameter- und 63 Hauptblöcken und wird in zwei Banken, A und B unterteilt und stellt Doppelbankoperationen bereit. Bei der Programmierung oder der Auslöschung in Bank A, sind Lesevorgänge in Bank B und vice versa möglich. Nur eine Bank auf einmal wird im Programm oder im Löschenmodus sein lassen.
M29DW323D hat Extra-32 KWord (Modus x16), oder ein Block 64 Kbytes (Modus x8), der ausgedehnte Block, der kann unter Verwendung eines engagierten Befehls erreicht werden. Der ausgedehnte Block kann geschützt werden und also ist für die Speicherung von Sicherheitsinformationen nützlich.
Jedoch ist der Schutz, schützte einmal den Schutz kann nicht annulliert werden irreversibel
. Jeder Block kann unabhängig gelöscht werden, also ist es möglich, gültige Daten zu konservieren, während alte Daten gelöscht werden.
Die Blöcke können geschützt werden, um versehentliche Programm- oder Löschenbefehle an der Abänderung des Gedächtnisses zu verhindern.
Programm- und Löschenbefehle werden zur Befehls-Schnittstelle des Gedächtnisses geschrieben.
Ein Aufchip Programm-/Löschen-Prüfer vereinfacht den Prozess der Programmierung oder der Auslöschung des Gedächtnisses, indem er um allen Spezialoperationen sich kümmert, die angefordert werden, um den Gedächtnisinhalt zu aktualisieren.
Das Ende einer Programm- oder Löschenoperation kann ermittelt werden und alle mögliche Fehlerbeschaffenheiten identifizierten.
Der Befehl eingestellt erfordert, um das Gedächtnis zu steuern ist mit JEDEC-Standards in Einklang.
Chip Enable, Ertrag ermöglichen und schreiben Freigabesignale, die Busoperation des Gedächtnisses zu steuern.
Sie erlauben einfache Verbindung zu den meisten Mikroprozessoren, häufig ohne Zusatzlogik.
Das Gedächtnis wird (6x8mm, 0.8mm Neigung) in den Paketen TSOP48 (12x20mm) und TFBGA48 angeboten.
EIGENSCHAFTS-ZUSAMMENFASSUNG:
VERSORGUNGS-SPANNUNG
– VCC = 2.7V zu 3.6V für Programm, Löschen und Lesen
– VPP =12V für das schnelle Programm (optional)
ZUGRIFFZEIT: 70ns
PROGRAMMIERZEIT
– 10µs pro das Byte/Wort typisch
– Doppeltes Wort-vierfaches Byte-Programm
SPEICHERBLÖCKE
– Doppelbank-Gedächtnis-Reihe: 8Mbit+24Mbit
– Parameter blockiert (Spitzen- oder unterer Standort)
LOGISCH-DUAL OPERATIONEN
– Lesen Sie in einer Bank während Programm oder Löschen in anderer
LÖSCHEN, MODI ZU VERSCHIEBEN und WIEDERAUFZUNEHMEN
– Lesen und Programm, die ein anderer Block während des Löschens verschieben
SETZEN ÜBERBRÜCKUNGS-PROGRAMM-BEFEHL FREI
– Schnellere Produktions-/Reihen-Programmierung
VPP/WP PIN für SCHNELLES PROGRAMM und SCHREIBSCHUTZ
VORÜBERGEHENDER MODUS BLOCK-UNPROTECTION
ALLGEMEINER BLITZ SCHLIESSEN 64 gebissenen Sicherheits-Code an
AUSGEDEHNTER SPEICHERBLOCK
– Extrablock benutzt als Sicherheitsblock oder zusätzliche Information speichern
Bereitschaft LEISTUNGSAUFNAHME GERINGER ENERGIE und automatische Bereitschaft
100.000 PROGRAM/ERASE ZYKLEN pro BLOCK
ELEKTRONISCHE UNTERZEICHNUNG
– Hersteller Code: 0020h
– Spitzengerätecode M29DW323DT: 225Eh
– Unterer Gerätecode M29DW323DB: 225Fh
ÄHNLICHKEIT 48TSOP-M29DW323DT70N6E IC-BLITZ-32MBIT Spezifikation:
Catetory | Elektronische Bauelemente |
Unterkategorie
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Integrierte Schaltungen (IC)
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Reihe
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Gedächtnis
|
Mfr
|
Micron Technology Inc.
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Paket
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Behälter
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Teil-Status
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Veraltet
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Gedächtnis-Art
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Permanent
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Gedächtnis-Format
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BLITZ
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Technologie
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BLITZ - NOCH
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Speicherkapazität
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32Mb (4M x 8, 2M x 16)
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Gedächtnis-Schnittstelle
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Parallel
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Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite
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70ns
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Zugriffzeit
|
70 ns
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Spannung - Versorgung
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2.7V | 3.6V
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Betriebstemperatur
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-40°C | 85°C (TA)
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Befestigung der Art
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Oberflächenberg
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Paket/Fall
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48-TFSOP (0,724", 18.40mm Breite)
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Lieferanten-Gerät-Paket
|
48-TSOP
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Niedrige Produkt-Zahl
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M29DW323
|
Zahlen des verwandten Produkts:
Mfr-Teil # | Technologie | Speicherkapazität | Gerät-Paket |
M29DW323DB70N6F TR | BLITZ - NOCH | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DT70N6F TR | BLITZ - NOCH | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB5AN6F TR | BLITZ - NOCH | 256Mb (16M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N3E | BLITZ - NOCH | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6E | BLITZ - NOCH | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70ZE6E | BLITZ - NOCH | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DB70ZE6F TR | BLITZ - NOCH | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DB7AN6F TR | BLITZ - NOCH | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DT70ZE6F TR | BLITZ - NOCH | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DT70ZE6E | BLITZ - NOCH | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DT70N6E | BLITZ - NOCH | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6E | BLITZ - NOCH | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6 | BLITZ - NOCH | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
Einrichtungs-Informationen:
Über Mikrometer-Technologie
Mikrometer macht die innovativen Gedächtnis- und Speicherlösungen, die helfen, heutig die meisten bedeutenden und Unterbrechungstechnologiedurchbrüche, wie künstliche Intelligenz zu fahren, das Internet von Sachen und selbst-fährt Autos, personifizierte Medizin-gleichmäßige Raumforschung. Durch das Vorangehen mit schneller und mehr effiziente Arten, Daten zu sammeln, zu speichern und zu handhaben, helfen sie zu revolutionieren und die Weise verbessern, welche die Welt mitteilt, lernt und voranbringt.
Mikrometer-Technologie-Produkt-Kategorien:
Integrierte Schaltungen (IC)
Codierte Karten, Module
Optoelektronik
Bild als Referenz:
Klima- u. Export-Klassifikationen
ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
---|---|
RoHS-Status | ROHS3 konform |
Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) | 3 (168 Stunden) |
REICHWEITE Status | ERREICHEN Sie unberührtes |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |
IC-Teilnummer der Ersatzintegrierten schaltungen:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Wir verkaufen das breiteste Portfolio der Industrie des Gedächtnisses und der Speichertechnologien: D-RAM, NAND und NOCH Gedächtnis IC. Mit nahen Industriepartnerschaften und Gedächtnislösungssachkenntnis gibt unser einzigartiger Einblick uns die Fähigkeit, Ihren schwierigsten Bedarf anzusprechen.
In Verbindung stehende Ähnlichkeit NOCH greller Teil-Katalog der integrierten Schaltung:
MT28EW128ABA1HJS-0SIT |
MT28EW128ABA1HPC-0SIT |
MT28EW128ABA1HPN-0SIT |
MT28EW128ABA1LJS-0SIT |
MT28EW128ABA1LPC-0SIT |
MT28EW128ABA1LPN-0SIT |