Energie Mosfets der n-Kanal-Transistor-getrennte Halbleiter-SIHF10N40D-E3
Energie SIHF10N40D-E3 Mosfets
,N-Kanal-Transistor
,Getrennte Halbleiter SIHF10N40D-E3
Kanaltransistor Energie SIHF10N40D-E3 Mosfets N funktioniert im Anreicherungstyp
Vishays SIHF10N40D-E3 Höchstleistungsableitung ist 33000 mW. Dieser n-Kanal MOSFET-Transistor funktioniert im Anreicherungstyp.
Dieser MOSFET-Transistor hat eine minimale Betriebstemperatur von °C -55 und ein Maximum von 150 °C.
Wenn Sie auch nicht verstärken müssen oder zwischen Signale in Ihrem Entwurf zu schalten, dann Vishays SIHF10N40D-E3 Energie ist MOSFET für Sie.
Produkt-technische Spezifikationen
EU RoHS | Konform |
ECCN (US) | EAR99 |
Teil-Status | Aktiv |
HTS | 8541.29.00.95 |
Automobil | Nein |
PPAP | Nein |
Produkt-Kategorie | Energie MOSFET |
Konfiguration | Einzeln |
Kanal-Modus | Verbesserung |
Kanaltyp | N |
Zahl von Elementen pro Chip | 1 |
Maximale Abfluss-Quellspannung (V) | 400 |
Maximale Gate-Source-Spannung (V) | ±30 |
Maximale Tor-Schwellen-Spannung (V) | 5 |
Maximaler ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges (a) | 10 |
Maximaler Tor-Quelldurchsickern-Strom (Na) | 100 |
Maximales IDSS (MA) | 1 |
Maximaler Abfluss-Quellwiderstand (MOhm) | 600@10V |
Typische Tor-Gebühr @ Vgs (nC) | 15@10V |
Typische Tor-Gebühr @ 10V (nC) | 15 |
Typische eingegebene Kapazitanz @ Vds (PF) | 526@100V |
Höchstleistungs-Ableitung (mW) | 33000 |
Typische Abfallzeit (ns) | 14 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 18 |
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit (ns) | 18 |
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit (ns) | 12 |
Minimale Betriebstemperatur (°C) | -55 |
Normalbetriebshöchsttemperatur (°C) | 150 |
Lieferanten-Paket | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Standardpaket-Name | TO-220 |
Montage | Durch Loch |
Paket-Höhe | 16,12 (maximal) |
Paket-Länge | 10,63 (maximal) |
Paket-Breite | 4,83 (maximal) |
PWB änderte | 3 |
Vorsprung | Vorsprung |
Führungs-Form | Durch Loch |
Teilnummer | SIHF10N40D-E3 |
Niedrige Teilnummer | SIHF10N40 |
EU RoHS | Konform mit Befreiung |
ECCN (US) | EAR99 |
Teil-Status | Aktiv |
HTS | 8541.29.00.95 |
Mehr Teilnummer für allgemeinen Halbleiter:
Teilnummer | MFG | Packge-Art |
JW1060 | JuWell | SOP8-E |
SL1053 | SILAN | SOP8 |
ST8550D | St. | TO-92 |
SS8050DBU | St. | TO-92 |
PC847 | FAIRCHILD | DIP-16 |
PC817A | FAIRCHILD | DIP-4 |
PC123F | SCHARFES | DIP-4 |
OB2353 | OB | SOP-8 |
NE555P | St. | DIP-8 |
MC34063 | AUF | SOP-8 |
LM7806 | St. | TO-220 |
LM78051A | St. | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
LM358 | St. | SOP-8 |
LM339 | St. | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
LM324 | St. | SO-14 (SMD) |
LM2575T | St. | TO-220 |
LM 7815 | St. | TO-220 |
LL4148-GS08 | St. | LL34 |
L7812CV | St. | TO-220 |
KA78M09 | FAIRCHILD | TO-252 |
IRFZ44V2A | IR | TO-220 |
IRFP460 | IR | TO-247 |
IRF840 | IR | TO-220 |
HEF4013 | PHILIPS | SOP-14 |
FQPF12N60C | FAIRCHILD | TO-220F |
DTC143ZUAT106 | ROHM | SOT-323 |
DINS4 | SHINDENGEN | DIP-2 |
IRFR9024N | IR | TO-252N |
BAV99 | Philip | SOT-23 |
BA033ST | ROHM | SOT252 |
AM5888SL/F | AMTEL | HSOP-28 |
93LC66B | MIKROCHIP | DIP-8 |
93LC46 | MIKROCHIP | DIP-8 |
93C46B | MIKROCHIP | SOP-8 |
78L05 | St. | TO-92 |
78L05 | St. | SOT89 |
74HC4066D | Philip | SMD |
74HC4066 | PHILIPS | SO-14 |
74HC164 | Philip | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
24LC128 | MIKROCHIP | DIP-8 |
24LC08B | MIKROCHIP | DIP-8 |
1N5822-B | Dioden Inc. | DO-201AD |
MC1413DR2G | AUF Halbleiter | SOP-16 |
HEF4069 | Philip | SO-14 (MOTOROLA) |