BSC010NE2LSI OptiMOS 25 V N-Kanal-Leistungs-MOSFET für Onboard-Ladegerät Mainboard
OptiMOS 25V N-Kanal-Leistungs-MOSFET
,BSC010NE2LSI N-Kanal-Leistungs-MOSFET
,BSC010NE2LSI OptiMOS 25V
BSC010NE2LSI OptiMOS 25 V N-Kanal-Leistungs-MOSFET für Onboard-Ladegerät Mainboard Notebook DC-DC VRD/VRM LED-Motorsteuerung
Anwendungen:
Onboard-Ladegerät
Hauptplatine
Notizbuch
DC-DC
VRD/VRM
LED
Motorsteuerung
Mit der Produktfamilie OptiMOS™ 25V setzt Infineon neue Maßstäbe in Leistungsdichte und Energieeffizienz für diskrete Leistungs-MOSFETs
und System im Paket.Extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung, zusammen mit dem niedrigsten Durchlasswiderstand in Gehäusen mit kleiner Grundfläche,
machen OptiMOS™ 25V zur besten Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Server-, Datenkommunikations- und Telekommunikationsanwendungen.Verfügbar in Halbbrückenkonfiguration (Leistungsstufe 5x6).
Leistungen :
Sparen Sie Gesamtsystemkosten, indem Sie die Anzahl der Phasen in mehrphasigen Umrichtern reduzieren
Reduzieren Sie Leistungsverluste und steigern Sie die Effizienz für alle Lastbedingungen
Sparen Sie Platz mit kleinsten Verpackungen wie CanPAK™, S3O8 oder System-in-Package-Lösung
Minimieren Sie EMI im System, wodurch externe Überspannungsschutznetzwerke überflüssig werden und die Produkte einfach zu integrieren sind.
Spezifikationen:
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Kategorie
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Diskrete Halbleiterprodukte
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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
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Herst
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Infineon-Technologien
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Serie
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OptiMOS™
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Paket
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Tape & Reel (TR)
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Teilestatus
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Aktiv
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FET-Typ
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N-Kanal
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
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100 V
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Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
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90A (TC)
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Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
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6V, 10V
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Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
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7mOhm bei 50A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ ID
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3,5 V bei 75 µA
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Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
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55 nC bei 10 V
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Vgs (max.)
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±20V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
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4000 pF bei 50 V
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FET-Funktion
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-
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Verlustleistung (max.)
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114W (TC)
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Betriebstemperatur
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-55 °C ~ 150 °C (TJ)
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Befestigungsart
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Oberflächenmontage
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Gerätepaket des Lieferanten
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PG-TDSON-8-1
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Paket / Koffer
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8-PowerTDFN
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Basisproduktnummer
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BSC070
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| Parameter | BSC070N10NS3G |
| Ciss | 3000 pF |
| Kosten | 520 pF |
| ID (@25°C) max | 90 A |
| IDpuls max | 360 A |
| Betriebstemperatur min. max | -55 °C 150 °C |
| Pges max | 114 W |
| Paket | SuperSO8 5x6 |
| Polarität | n |
| QG (typ. @10V) | 42 nC |
| RDS (ein) (@10V) max | 7 mΩ |
| Rt | 1,1 K/W |
| VDS-max | 100 V |
| VGS(th) min max | 2,7 V 2 V 3,5 V |