Produktdetails:
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Herkunftsort: | Malaysia |
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Markenname: | Infineon |
Zertifizierung: | ROHS |
Modellnummer: | BSC070N10NS3GATMA1 |
Zahlung und Versand AGB:
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Min Bestellmenge: | 1pieces |
Preis: | Negotiated |
Verpackung Informationen: | Spule |
Lieferzeit: | 5 Werktage |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 5000pcs |
Detailinformationen |
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Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | Details: | N-Kanal 100 V 90 A (Tc) 114 W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-1 |
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Produktname: | Integrierte Schaltungen (IC) | Kategorie: | elektronische Bauelemente |
IC-Familie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Anderer Name: | BSC070 |
Paket: | TDSON8 | Bleifreier Status: | RoHS konform, PB frei, bleifrei |
Markieren: | BSC070N10NS3GATMA1,Energie Infineon OptiMOS MOSFET,BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS |
Produkt-Beschreibung
07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 Infineons OptiMOS-Energie MOSFET-N-Kanal 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC
Beschreibung:
Infineons MOSFETs Energie 100V OptiMOS™ bieten überlegene Lösungen für hohe Leistungsfähigkeit, hohe Machtdichte SMPS an.
Verglichen mit der folgenden besten Technologie erzielt diese Familie eine Reduzierung von 30% in beiden R DS (an) und in FOM (Leistungszahl).
Mögliche Anwendungen:
Synchrone Korrektur für AC-DC SMPS
Motorsteuerung für Systeme 48V-80V (d.h. inländische Fahrzeuge, Elektrowerkzeuge, LKWs)
Lokalisierte DC-DC Konverter (Telekommunikation und Datacomsysteme
O-Ring Schalter und Leistungsschalter in den Systemen 48V
Audioverstärker der Klasse D
Ununterbrochene Stromversorgung (UPS)
Zusammenfassung von Eigenschaften:
Ausgezeichnete zugeschaltete Leistung
Das niedrigste R DS der Welt (an)
niedriges gd Q g und Q
Ausgezeichnetes Produkt der Torgebühr x R DS (an) (FOM)
RoHS-konformhalogen frei
MSL1 veranschlagte 2
Nutzen
Umweltfreundlich
Erhöhte Leistungsfähigkeit
Höchste Energiedichte
Weniger Vergleich erfordert
Kleinster Brettraumverbrauch
Einfach-zu-Entwurfsprodukte
Spezifikationen:
Kategorie
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Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Mfr
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Infineon Technologies
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Reihe
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OptiMOS™
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Paket
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Band u. Spule (TR)
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Teil-Status
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Aktiv
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Fet-Art
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N-Kanal
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
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100 V
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Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
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90A (Tc)
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Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
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7mOhm @ 50A, 10V
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Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
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3.5V @ 75µA
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Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
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55 nC @ 10 V
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Vgs (maximal)
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±20V
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Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
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4000 PF @ 50 V
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Fet-Eigenschaft
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-
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Verlustleistung (maximal)
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114W (Tc)
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Betriebstemperatur
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-55°C | 150°C (TJ)
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Befestigung der Art
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Oberflächenberg
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Lieferanten-Gerät-Paket
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PG-TDSON-8-1
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Paket/Fall
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8-PowerTDFN
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Niedrige Produkt-Zahl
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BSC070
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Parametrics | BSC070N10NS3G |
Ciss | 3000 PF |
Coss | 520 PF |
Identifikation (@25°C) maximal | 90 A |
IDpuls maximal | 360 A |
Betriebstemperaturminute maximal | -55 °C 150 °C |
Ptot maximal | 114 W |
Paket | SuperSO8 5x6 |
Polarität | N |
QG (Art @10V) | 42 nC |
RDS (an) (@10V) maximal | mΩ 7 |
Rth | 1,1 K/W |
VDS maximal | 100 V |
Minute VGS (Th) maximal | 2,7 V 2 V 3,5 V |
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