V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Gleichrichter
V20PWM45 Vishay Semiconductor
,Vishay Semiconductor TMBS Trench
,MOS Barrier Schottky Gleichrichter
V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor Hochstromdichte TMBS Trench MOS Barrier Schottky Gleichrichter DPAK Diskrete Halbleiterprodukte
V20PWM45:Oberflächenmontierter TMBS®-Gleichrichter (Trench MOS Barrier Schottky) mit hoher Stromdichte, extrem niedrige VF = 0,35 V bei IF = 5 A
V20PWM45COberflächenmontierter TMBS®-Gleichrichter mit hoher Stromdichte (Trench MOS Barrier Schottky) Ultra Low VF = 0,39 V bei IF = 5 A
ANWENDUNGEN
Für den Einsatz in Niederspannungs-Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern,
Freilaufdioden und Verpolschutzanwendungen
MERKMALE
• Sehr niedriges Profil – typische Höhe von 1,3 mm
• Trench-MOS-Schottky-Technologie
• Ideal für die automatisierte Bestückung
• Geringer Durchlassspannungsabfall, geringe Leistungsverluste
• Hocheffizienter Betrieb
• Erfüllt MSL Level 1 gemäß J-STD-020,
LF-Maximalspitze von 260 °C
• AEC-Q101-qualifiziert erhältlich
- Automobil-Bestellcode: Basis P/NHM3
• Materialkategorisierung
Beschreibung
Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET verwendet die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Weitere Merkmale dieses Produkts sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Bewertung für wiederholte Lawinen.Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Merkmale :
Fortschrittliche Prozesstechnologie Extrem niedriger On-Widerstand 175 °C Betriebstemperatur Schnelles Schalten Wiederkehrende Lawinen Zulässig bis zu Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
Technische Produktspezifikationen
Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Dioden - Gleichrichter - Single | |
Herst | Vishay General Semiconductor – Geschäftsbereich Dioden |
Serie | Automobil, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Teilestatus | Aktiv |
Diodentyp | Schottki |
Spannung - DC umgekehrt (Vr) (max.) | 45 V |
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 660 mV bei 20 A |
Geschwindigkeit | Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 700 µA bei 45 V |
Kapazität @ Vr, F | 3100 pF bei 4 V, 1 MHz |
Befestigungsart | Oberflächenmontage |
Paket / Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten | SlimDPAK |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | -40 °C ~ 175 °C |
Basisproduktnummer | V20PWM45 |
| Artikelnummer | V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I |
| Basis-Teilenummer | V20PWM45C-M3/I |
| EU-RoHS | Freistellung konform |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Teilestatus | Aktiv |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Weitere Teilenummern für General Semiconductor:
| Artikelnummer | MFG | Pakettyp |
| BYV26C | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV26EGP | VISHAY Halbleiter | DO-15 |
| BYV26E-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV26EGP | VISHAY Halbleiter | DO-15 |
| BYV26E-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV26C-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| SI2309CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SI2301CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SI2307CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SF1600-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| SF1600-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| SI2333CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SI2303CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SI2304DDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SI2302CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SI2305CDS-T1-GE3 | VISHAY Halbleiter | SOT-23 |
| SBYV26C | VISHAY Halbleiter | DO-41 |
| BZX55C24-TAP | VISHAY Halbleiter | DO-35 |
| BYV27-200 | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV27-600-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV27-600-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV27-200-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-57 |
| BYV28-200-TAP | VISHAY Halbleiter | SOD-64 |
| SBYV26C | VISHAY Halbleiter | DO-41 |