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60 V 10,8 A Dioden Transistoren FETS DMT6009LSS-13 Einzel-MOSFET N-Kanal

Kategorie:
Dioden Transistoren
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Spezifikationen
Beschreibung:
N-Kanal 60 V 10,8 A (Ta) 1,25 W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Kategorie:
Elektronische Komponenten – Diskreter Halbleiter
Art:
MOSFET 60 V N-Ch Enh FET 20 V gss 12 mOhm 4,5 V gs
Familie:
Dioden Transistoren
Montage:
Oberflächenmontage
Anwendung:
Schaltnetzteil Adapter Beleuchtung Konverter
Paket:
SOP8
Serise:
MOSFET N-CH 60 V 10,8 A 8 SO T&R 2
Produkt-Name:
DMT6009LSS-13 Einzelner MOSFET N-Kanal 60 V 10,8 A Transistordioden
Markieren:

60 V 10

,

8 A Dioden Transistoren

,

DMT6009LSS-13

Einleitung

DMT6009LSS-13 einzelne Transistoren MOSFET N Kanal-60V 10.8A

Getrennter Halbleiter FETS MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2

Spezifikation DMT6009LSS-13:

Teilnummer DMT6009LSS-13
Kategorie
Getrennte Halbleiter-Produkte
 
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Mfr
Dioden enthalten
Reihe
-
Paket
Band u. Spule (TR)
Teil-Status
Aktiv
Fet-Art
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
60 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
10.8A (Ta)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
2V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
33,5 nC @ 10 V
Vgs (maximal)
±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
1925 PF @ 30 V
Fet-Eigenschaft
-
Verlustleistung (maximal)
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art
Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket
8-SO
Paket/Fall
8-SOIC (0,154", 3.90mm Breite)
Niedrige Produkt-Zahl
DMT6009

Verwandte Produkte:

EIGENSCHAFTEN DMT6009LSS-13
* passivierter Glaschip
* eingebauter Gummidurchführungsring
* induktionsarm
* hohe Höchstrückleistungsableitung
* niedriges Rückdurchsickern
* ESD-Bewertung von Klasse 3 (> 20 KV) pro menschlicher Körper-Modell

60 V 10,8 A Dioden Transistoren FETS DMT6009LSS-13 Einzel-MOSFET N-Kanal

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Engel-Technologieversorgungsschaltdioden, Zenerdioden, Schottky-Sperrengleichrichter, Brückengleichrichter, Fernseh-, ESD-Schutzgeräte, bipolar Transistor, MOSFETs, Thyristoren, usw., die mit RoHS und REICHWEITEN-Standard eingewilligt werden. Unsere zugelassene Fabrik hat mehr als 500 Angestellte, die zu durchweg zuverlässige Halbleiterbauelemente jährlich produzieren 1,5 Milliarde fähig sind. Unsere Firma mit dem höchstentwickelten Ausrüstungs- und ERP-Systemmanagement wird an der Festlegung eines guten Marktauftritts verpflichtet. Die Fabrik führte die Bescheinigung der Qualität ISO9001, Systembescheinigung des Umweltmanagements ISO14001. Alle Produkte führten SGS-Test, ROHS- und REICHWEITEN1907/2010/ec 48 Kriterien. Mit der ununterbrochenen Verbesserung der Produktqualität und der technischen Unterstützung der Berufsnachverkäufe, haben wir das Vertrauen der Kunden in der Marke der Firma gewonnen. Unsere Produkte sind auf PC-MACHT, grüner Beleuchtung, Receivern, digitalen Produkten, Automobil-, industrieller Steuerung, Kommunikationsausrüstung und anderen Gebieten weitverbreitet, die Kunden in den inländischen und fremden weithin bekannten Herstellern dient. „Suchende Neuheit, Verfeinerung und Neuheit“ wird als unsere Qualitätsumweltpolitik behandelt. Wir haben den guten Willen und Glaubwürdigkeit in unseren Produkten. Nach Jahren der Entwicklung, sind unsere Produkte durch den Markt erkannt worden und gepriesen worden. Wir setzen technologische Innovation fort, um Wert für Kunden zu schaffen. In der Zukunft widmet sich unsere Firma sich entwickelnder Halbleiterelektronikmarkt-Industrieentwicklung, in Erwiderung auf die schnelleren globalen Elektronikindustrieherausforderungen.

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