IHW30N160R2 IGBT-Transistor H30R1602 Leistungshalbleiter
IHW30N160R2 IGBT-Transistor
,H30R1602 Leistungshalbleiter
,IHW30N160R2
IHW30N160R2 IGBTs Transistoren H30R1602 Soft Switching Series Leistungshalbleiter-IC IHW30N160R2FKSA1Soft-Switching-Serie
Anwendungen:
• Induktives Kochen
• Soft-Switching-Anwendungen
Beschreibung:
TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT mit monolithischer Body-Diode
Merkmale:
• Leistungsstarke monolithische Body-Diode mit sehr niedriger Durchlassspannung
• Body-Diode klemmt negative Spannungen
• Trench- und Fieldstop-Technologie für 1600-V-Anwendungen bietet:
- sehr enge Parameterverteilung
- hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
• NPT-Technologie bietet einfache Parallelschaltfähigkeit durch
positiver Temperaturkoeffizient in VCE(sat)
• Niedrige EMI
• Qualifiziert nach JEDEC1
für Zielanwendungen
• Pb-freie Bleibeschichtung;RoHS-konform
Spezifikation: IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Durchgangsloch PG-TO247-3-1
| Artikelnummer | IHW30N160R2 |
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Kategorie
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Diskrete Halbleiterprodukte
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Transistoren - IGBTs - Single
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Serie
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TrenchStop®
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Paket
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Rohr
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IGBT-Typ
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NPT, Trench Field Stop
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
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1600 V
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Strom - Kollektor (Ic) (max.)
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60 A
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Strom - Kollektor gepulst (Icm)
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90 A
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Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
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2,1 V bei 15 V, 30 A
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Leistung max
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312 W
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Energie schalten
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4,37 mJ
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Eingabetyp
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Standard
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Gate-Gebühr
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94 nC
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Td (ein/aus) bei 25 °C
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-/525ns
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Testbedingung
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600 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V
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Betriebstemperatur
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-40 °C ~ 175 °C (TJ)
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Befestigungsart
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Durchgangsloch
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Paket / Koffer
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TO-247-3
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Gerätepaket des Lieferanten
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PG-TO247-3-1
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| ATTRIBUT | BEZEICHNUNG |
|---|---|
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH Unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
| Artikelnummer | IHW30N160R2FKSA1 |
| Basis-Teilenummer | IHW30N160R2 |
| EU-RoHS | Freistellung konform |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Teilestatus | Aktiv |
| HTS | 8541.29.00.95 |