Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET N-Kanal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET
,MOSFET N-Kanal 55 V 30 A
,55 V 30 A HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Gleichrichter IOR HEXFET MOSFET N-Kanal 55 V 30 A DPAK Diskrete Halbleiterprodukte
N-Kanal 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak
Beschreibung
Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET verwendet die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Weitere Merkmale dieses Produkts sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Bewertung für wiederholte Lawinen.Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Merkmale :
Fortschrittliche Prozesstechnologie Extrem niedriger On-Widerstand 175 °C Betriebstemperatur Schnelles Schalten Wiederkehrende Lawinen Zulässig bis zu Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
Technische Produktspezifikationen
Artikelnummer | IRLR3915TRPBF |
Basis-Teilenummer | IRLR3915 |
EU-RoHS | Freistellung konform |
ECCN (USA) | EAR99 |
Teilestatus | Aktiv |
HTS | 8541.29.00.95 |
Kategorie
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Diskrete Halbleiterprodukte
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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
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Herst
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Infineon-Technologien
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Serie
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HEXFET®
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Paket
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Tape & Reel (TR)
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Teilestatus
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Aktiv
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FET-Typ
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N-Kanal
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
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55 V
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Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
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30A (TC)
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Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
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5V, 10V
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Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
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14 mOhm bei 30 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ ID
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3 V bei 250 µA
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Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
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92 nC bei 10 V
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Vgs (max.)
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±16V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
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1870 pF bei 25 V
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FET-Funktion
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-
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Verlustleistung (max.)
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120W (TC)
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Betriebstemperatur
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-55 °C ~ 175 °C (TJ)
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Befestigungsart
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Oberflächenmontage
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Gerätepaket des Lieferanten
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D-Pak
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Paket / Koffer
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TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63
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Basisproduktnummer
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IRLR3915
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