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Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET N-Kanal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Kategorie:
Diskrete Halbleiter
Preis:
Negotiated
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union
Spezifikationen
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Familie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Kategorie:
Elektronische Komponenten-MOSFET (Metalloxid)
Reihe:
HEXFET-MOSFET (Metalloxid)
Niedrige Teilnummer:
IRLR3915
Details:
N-Kanal 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak
Art:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Paket:
TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63
Befestigung der Art:
Oberflächenberg
Markieren:

Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET

,

MOSFET N-Kanal 55 V 30 A

,

55 V 30 A HEXFET-Leistungs-MOSFET

Einleitung

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Gleichrichter IOR HEXFET MOSFET N-Kanal 55 V 30 A DPAK Diskrete Halbleiterprodukte

 

N-Kanal 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak

 

Beschreibung

Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET verwendet die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen.

Weitere Merkmale dieses Produkts sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Bewertung für wiederholte Lawinen.Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

 

Merkmale :

Fortschrittliche Prozesstechnologie Extrem niedriger On-Widerstand 175 °C Betriebstemperatur Schnelles Schalten Wiederkehrende Lawinen Zulässig bis zu Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea

Technische Produktspezifikationen

 

Artikelnummer IRLR3915TRPBF
Basis-Teilenummer IRLR3915
EU-RoHS Freistellung konform
ECCN (USA) EAR99
Teilestatus Aktiv
HTS 8541.29.00.95
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
 
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Herst
Infineon-Technologien
Serie
HEXFET®
Paket
Tape & Reel (TR)
Teilestatus
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
30A (TC)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm bei 30 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ ID
3 V bei 250 µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC bei 10 V
Vgs (max.)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF bei 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
120W (TC)
Betriebstemperatur
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten
D-Pak
Paket / Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63
Basisproduktnummer
IRLR3915

 

 

Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET N-Kanal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET N-Kanal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET N-Kanal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

 

 

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