W9725G6KB-25 DRAM IC Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA
W9725G6KB-25 DRAM IC Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA
DRAM-Chip DDR2 SDRAM 256 Mbit 16 Mx16 1,8 V 84-Pin WBGA
1. ALLGEMEINE BESCHREIBUNG
Der W9725G6KB ist ein 256 MB DDR2 SDRAM, organisiert als 4.194.304 Wörter 4 Bänke 16 Bit.Dieses Gerät erreicht Hochgeschwindigkeitsübertragungsraten von bis zu 1066 MB/s/Pin (DDR2-1066) für allgemeine Anwendungen.W9725G6KB ist in folgende Geschwindigkeitsstufen sortiert: -18, -25, 25I und -3.Die -18-Klasse-Teile entsprechen der DDR2-1066 (7-7-7)-Spezifikation.Die -25- und 25I-Teile entsprechen der DDR2-800 (5-5-5)- oder DDR2-800 (6-6-6)-Spezifikation (die 25I-Teile in Industriequalität, die garantiert -40 °C ≤ TCASE unterstützen ≤ 95 °C).Die -3-Klasse-Teile entsprechen der DDR2-667 (5-5-5)-Spezifikation.Alle Steuer- und Adresseingänge werden mit einem Paar von extern zugeführten Differenztakten synchronisiert.Eingänge werden am Kreuzungspunkt von Differentialtakten (CLK ansteigend und CLK fallend) zwischengespeichert.Alle I/Os werden mit einem unsymmetrischen DQS- oder Differenzial-DQS-DQS-Paar auf quellensynchrone Weise synchronisiert.
2. EIGENSCHAFTEN Stromversorgung: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V Architektur mit doppelter Datenrate: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus CAS-Latenz: 3, 4, 5, 6 und 7 Burstlänge: 4 und 8 Bi -gerichtete, differentielle Daten-Strobes (DQS und DQS) werden mit Daten gesendet/empfangen Edge-aligned mit Read-Daten und Center-aligned mit Write-Daten DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge mit Clock Differentielle Clock-Eingänge (CLK und CLK) Datenmasken (DM) für Schreibdaten Befehle, die bei jeder positiven CLK-Flanke eingegeben werden, Daten und Datenmaske werden auf beide Flanken von DQS referenziert Gepostete CAS-programmierbare additive Latenz wird unterstützt, um Befehls- und Datenbuseffizienz zu erreichen Leselatenz = Additive Latenz plus CAS Latenz (RL = AL + CL) Off-Chip-Treiber-Impedanzanpassung (OCD) und On-Die-Termination (ODT) für bessere Signalqualität Auto-Precharge-Betrieb für Lese- und Schreib-Bursts Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi Vorgeladenes Ausschalten und aktives Ausschalten Datenmaske schreiben Latenz beim Schreiben = L lesenatency - 1 (WL = RL - 1) Schnittstelle: SSTL_18 Verpackt in WBGA 84 Ball (8x12,5 mm2 ), unter Verwendung bleifreier Materialien mit RoHS-Konformität.
Zugehörige Geräteinformationen:
| TEILENUMMER GESCHWINDIGKEITSKLASSE BETRIEBSTEMPERATUR |
| W9725G6KB-18 DDR2-1066 (7-7-7) 0 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C |
| W9725G6KB-25 DDR2-800 (5-5-5) oder DDR2-800 (6-6-6) 0 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C |
| W9725G6KB25I DDR2-800 (5-5-5) oder DDR2-800 (6-6-6) -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C |
| W9725G6KB-3 DDR2-667 (5-5-5) 0 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C |
| ATTRIBUT | BEZEICHNUNG |
|---|---|
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |