DS24B33 MAXIME EEPROM Gedächtnis IC DS24B33+ DS24B33G+ DS24B33S+DS24B33Q
DS24B33 MAXIME EEPROM Gedächtnis IC DS24B33+ DS24B33G+ DS24B33S+DS24B33Q
Beschreibung:
Das DS24B33 ist ein 4096 Bit, 1-Wire® EEPROM organisierte als 16 Gedächtnisseiten von 256 Bits pro Stück. Daten werden zu einem 32-Byte-Notizblock geschrieben, überprüft und kopiert dann zum EEPROM-Gedächtnis. Das DS24B33 steht über einem Bus des Einzelleiters 1-Wire in Verbindung. Die Kommunikation folgt dem Standard-Protokoll 1-Wire. Jedes Gerät hat seine eigene unveränderliche und einzigartige 64-Bit-Registernummer, die die Fabrik ist, die in den Chip programmiert wird. Die Registernummer wird benutzt, um das Gerät in einer multidrop 1-Wire Nettoumwelt zu adressieren. Das DS24B33 ist die Software, die zum DS2433 kompatibel ist.
Anwendungen:
Lagerung von Kalibrierungs-Konstanten
Brett-Identifizierung
Lagerung von Produkt-Revisions-Status
Eigenschaften:
4096 Bits permanenten EEPROM verteilten in sechzehn Seiten 256-Bit
Gelesen und Schreibzugriff ist in hohem Grade rueckwaerts kompatibel zum DS2433
Notizblock 256-Bit mit strengen Lese-Schreibprotokollen stellt Richtigkeit der Datens-Übertragung sicher
Einzigartige, Fabrik-programmierte, 64-Bit-Registernummer stellt fehlerfreie Gerät-Auswahl und absolute Teil-Identität sicher
Switchpoint-Hysterese, zum von Leistung in Anwesenheit der Geräusche zu optimieren
Steht in Verbindung, um an 15.4kbps oder an 125kbps unter Verwendung des Protokolls 1-Wire zu bewirten
Preiswertes Durch-Loch und SMD-Pakete
Betriebsbereich: +2.8V zu +5.25V, -40°C zu +85°C
Niveau 4 Iecs 1000-4-2 ESD-Schutz (±8kV-Kontakt, ±15kV-Luft, typisch) für IO Pin
Einrichtungsinformationen:
TEIL TEMPERATUR-STRECKE PIN-PACKAGE
DS24B33+ -40°C zu +85°C TO-92
DS24B33+T&R -40°C zu +85°C TO-92
DS24B33G+T&R -40°C zu +85°C 2 SFN (PC 2.5k)
DS24B33Q+T&R -40°C zu +85°C 6 TDFN-EP* (PC 2.5k)
DS24B33S+ -40°C zu +85°C 8 SO (208 Mil)
DS24B33S+T&R -40°C zu +85°C 8 SO (208 Mil)
IC-Spezifikation:
DS24B33+ | |
Kategorie
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Integrierte Schaltungen (IC)
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Gedächtnis
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|
Mfr
|
Maxim Integrated
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Reihe
|
-
|
Paket
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Tasche
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Teil-Status
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Aktiv
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Gedächtnis-Art
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Permanent
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Gedächtnis-Format
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EEPROM
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Technologie
|
EEPROM
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Speicherkapazität
|
4Kb (256 x 16)
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Gedächtnis-Schnittstelle
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1-Wire®
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Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite
|
-
|
Zugriffzeit
|
2 µs
|
Spannung - Versorgung
|
2.8V | 5.25V
|
Betriebstemperatur
|
-40°C | 85°C (TA)
|
Befestigung der Art
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Durch Loch
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Paket/Fall
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Lieferanten-Gerät-Paket
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TO-92-3
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Niedrige Produkt-Zahl
|
DS24B33
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DS24B33S+-Spezifikationen |
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Kategorie
|
Integrierte Schaltungen (IC)
|
Gedächtnis
|
|
Mfr
|
Maxim Integrated
|
Reihe
|
-
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Paket
|
Band u. Spule (TR)
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Teil-Status
|
Aktiv
|
Gedächtnis-Art
|
Permanent
|
Gedächtnis-Format
|
EEPROM
|
Technologie
|
EEPROM
|
Speicherkapazität
|
4Kb (256 x 16)
|
Gedächtnis-Schnittstelle
|
1-Wire®
|
Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite
|
-
|
Zugriffzeit
|
2 µs
|
Spannung - Versorgung
|
2.8V | 5.25V
|
Betriebstemperatur
|
-40°C | 85°C (TA)
|
Befestigung der Art
|
Oberflächenberg
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Paket/Fall
|
8-SOIC (0,209", 5.30mm Breite)
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Lieferanten-Gerät-Paket
|
8-SOIC
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Niedrige Produkt-Zahl
|
DS24B33
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Klima- u. Export-Klassifikationen
ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
---|---|
RoHS-Status | ROHS3 konform |
Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) | 3 (168 Stunden) |
REICHWEITE Status | ERREICHEN Sie unberührtes |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |
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